Составители:
Рубрика:
28
ку Iэ: в его цепи ток, величина которого пропорциональна Iк=αIэ.Коэффициент
пропорциональности
α
называется коэффициентом передачи тока эмиттера.
При достаточно тонкой базе, когда потери дырок за счет рекомбинации их в ба-
зе малы, коэффициент передачи тока может доходить до 0,99 и более. Кроме
того, в цепи коллектора протекает собственный обратный ток коллекторного
перехода, имеющий небольшую величину. Его обозначают I
КБО
. Индекс «К»
указывает, что это собственный обратный ток коллекторного перехода, индекс
«Б» означает, что транзистор включен по схеме с общей базой, индекс «0» ука-
зывает, что ток измеряется при разомкнутой цепи эмиттера (обрыв). Как и в по-
лупроводниковом диоде, собственный обратный ток коллекторного перехода
имеет три составляющие: ток экстракции Iк
0
, термоток перехода Iк
т
и ток по-
верхностной проводимости перехода Iк
у
: I
КБО
= Iк
0
+ Iк
т
+ Iк
у .
Полный ток кол-
лектора: Iк=αIэ+ I
КБО
. Транзистор представляет собой управляемый прибор, его
коллекторный ток зависит от тока эмиттера. Изменение тока коллектора при
изменении эмиттерного тока происходит с очень малой инерцией, если база
достаточно тонкая. Это позволяет использовать транзистор не только на низ-
ких, но и на высоких частотах. Поскольку напряжение в цепи коллектора,
включенного в обратном направлении,
может быть значительно больше, чем в
цепи эмиттера, включенного в прямом
направлении, а токи в этих цепях прак-
тически равны, мощность, создаваемая
переменной составляющей коллекторно-
го тока в нагрузке R, может быть значи-
тельно больше мощности, затрачиваемой
на управление током в цепи эмиттера, т.
е. транзистор обладает усилительным
эффектом.
Эти качества в сочетании с малыми габаритами, высокой надежностью,
долговечностью и экономичностью обусловили широкое применение транзи-
сторов в современной электронной технике.
3.2. Распределение потенциала в биполярном транзисторе
Будем рассматривать одномерную модель, т. е. транзистор, имеющий
плоскопараллельные электроды большой протяженности, когда краевыми эф-
фектами можно пренебречь. Концентрацию примесей в базе, эмиттере и кол-
лекторе будем считать постоянной, что типично для сплавных транзисторов. В
виду того, что концентрация примесей в эмиттерной, базовой и коллекторной
областях транзистора велика, можно пренебречь сопротивлением этих областей
по сравнению с сопротивлением эмиттерного и коллекторного переходов и
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 26
- 27
- 28
- 29
- 30
- …
- следующая ›
- последняя »
