Электроника. Ч.1: Письменные лекции. Антонов О.Г - 29 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

СЗТУ | Санкт-Петербург

Составители: 

Рубрика: 

29
считать, что напряжения, приложенные к транзистору, действуют непосредст-
венно на переходах, а в остальных областях поле отсутствует. Распределение
потенциала в транзисторе при этом будет иметь вид, показанный на рис. 3.2.
Рассматривается случай, когда к эмиттеру приложено прямое напряжение U
ЭБ
,
а к коллектору — обратное U
КБ
Потенциал базы принят равным нулю.
3.3. Статические характеристики биполярного транзистора
Схема с общей базой. В транзисторах в качестве одной из независимых
переменных обычно выбирают ток эмиттера, легче поддающийся регулирова-
нию, чем напряжение. Из характеристик наибольшее распространение получи-
ли входные и выходные характеристики транзистора.
Входные характеристики. Входные характеристики транзисторов в схе-
ме с общей базой Iэ=f(U
ЭБ
) при U
КБ
=const .
При большом обратном напряжении коллектора ток мало зависит от кол-
лекторного напряжения. На рис. 3.3, а показаны реальные входные характери-
стики германиевого транзистора. Они соответствуют теоретической зависимо-
сти, подтверждается и
вывод о слабом влия-
нии коллекторного на-
пряжения на ток эмит-
тера. Начальная об-
ласть входных харак-
теристик, построенная
в соответствии с тео-
ретической зависимо-
стью, показана на рис.
3.3, а крупным мас-
штабом (в окружности). Отмечены токи I
11
и I
12
, а также эмиттерный ток закры-
того транзистора I
Эотс
=I
11
+I
12
,протекающий в его цепи при обратных напряже-
ниях эмиттера и коллектора.
Реальные характеристики транзистора в начальной области несколько от-
личаются от теоретических. Обратный ток эмиттера при короткозамкнутом
коллекторе, обозначаемый I
ЭБК
, отличается от тока экстракции I
11
и наличием
еще двух составляющих: термотока Iэт и тока поверхностной проводимости
Iэу: I
ЭБк
=I
11
+I
Эт
+I
Эу
.
Обратный ток эмиттера при обратном напряжении коллектора:
I
ЭБU
= I
11
- I
12
+I
Эт
+I
Эу
=I
ЭБК
-I
12
.
Входные характеристики кремниевого транзистора показаны на pиc. 3.3,б
Они смещены от нуля в сторону прямых напряжений; как и у кремниевого дио-
да, смещение равно 0,6—0,7 В. По отношению к входным характеристикам
германиевого транзистора смещение составляет ~0,4 В.

Страницы