Составители:
Рубрика:
36
Система Y-параметров используется для описания высокочастотных
свойств транзисторов, т. к. режим измерения этих параметров на высокой час-
тоте реализовать сравнительно просто.
Система Z – параметров.
Независимыми переменными в этой системе
будут токи I
1
, I
2
и по аналогии с Y-параметрами можно записать систему урав-
нений:
.
,
22212122121111
IZIZUIZIZU
&
&
&
&
&
&
+
=
+
=
В этой системе соответственно
через Z
11
, Z
12
, Z
21
, Z
22
обозначены входное сопротивление транзистора, сопро-
тивление обратной передачи, сопротивление прямой передачи и выходное со-
противление транзистора.
Все Z-параметры определяются в режиме разомкнутой цепи (холостого
хода) для переменной составляющей тока на противоположной стороне четы-
рехполюсника: на входе (
1
I
&
) для Z
22
и Z
12
, на выходе ( 0
2
=
I
&
) для Z
11
и Z
21
.
Недостатком этих параметров является сложность реализации режима
холостого хода при их измерении. Поэтому система Z- параметров имеет срав-
нительно ограниченное применение.
3.7. Вопросы для самоконтроля
1. Каково устройство биполярного транзистора?
2. Приведите схему распределения потенциала в этом приборе.
3.Что такое статическая характеристика биполярного транзистора?
4.Как выглядят входные характеристики биполярного транзистора?
5.Приведите пример выходных характеристик этого транзистора.
6. Что такое коэффициент передачи тока эмиттера?
7. Что такое предельные режимы работы биполярного транзистора?
8. Каковы предельные импульсные параметры биполярного транзистора?
9. Для чего применяются дифференциальные параметры?
10.Когда используются Y-параметры?
4. ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
4.1. Полевые транзисторы с управляющим р-n-переходом
Полевые транзисторы представляют собой полупроводниковые прибо-
ры, в которых прохождение тока обусловлено дрейфом основных носителей за-
ряда под действием продольного электрического поля. Управление током в по-
левых транзисторах осуществляется путем изменения электропроводности то-
копроводящего участка полупроводника поперечным электрическим полем.
Это поле создается напряжением, приложенным к управляющему электроду.
В настоящее время промышленностью выпускаются два типа полевых
транзисторов: с управляющим р-п-переходом и с изолированным затвором
структуры металл-диэлектрик-полупроводник, называемые кратко МДП-
транзисторами.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 34
- 35
- 36
- 37
- 38
- …
- следующая ›
- последняя »
