Составители:
Рубрика:
37
Полевые транзисторы с управляющим р-n-переходом могут быть изго-
товлены на основе кристалла полупроводника п- или p-типа. Упрощенная
структура кристалла полевого транзистора с управляющим p-n-переходом, из-
готовленного на основе полупроводника n-типа, показана на рис. 4.1. Транзи-
стор состоит из области n-типа и двух об-
ластей p-типа. Области p-типа соединяют-
ся вместе и образуют управляющий элек-
трод, называемый затвором (З).
На границах раздела полупроводни-
ков п- и р-типа образуются запирающие
слои, обладающие высоким сопротивлени-
ем. Часть полупроводниковой области n-
типа, заключенную между р-n-
переходами, называют каналом (К). Если к
каналу подсоединить внешний источник
постоянного тока, в канале создается про-
дольное электрическое поле, под действи-
ем которого электроны в канале переме-
щаются в сторону положительного полюса
источника напряжения.
Полупроводниковая область, от которой начинают движение основные
носители заряда в канале, называется истоком (И), а область, к которой эти но-
сители движутся, - стоком (С).
Движение основных носителей заряда в канале за счет напряжения на
стоке относительно истока U
с.и
обусловливает прохождение тока в канале и в
цепи стока I
с
.
На затвор относительно истока подается напряжение U
з.и
, смещающее р-
n-переходы затвор-канал в обратном направлении.
При увеличении напряжения источника U
з.и
смещающее обратное напря-
жение на р-n-переходах увеличивается, запирающие слои расширяются,
уменьшая сечение канала. При этом электропроводность канала и проходящий
через него ток уменьшаются. Таким образом, изменяя напряжение на затворе,
можно управлять током, проходящим через канал полевого транзистора. При
некотором напряжении на затворе может произойти смыкание областей объем-
ного заряда, т.е. канал перекрывается. Напряжение на затворе (при U
с.и
= 0), при
котором канал перекрывается, называется напряжением отсечки и обозначает-
ся U
з.и.отс
.
Таким образом, ширина канала, определяющая его сопротивление, и ток
стока I
с
зависят от напряжений U
з.и
и U
с.и
.
Рис. 4.1
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 35
- 36
- 37
- 38
- 39
- …
- следующая ›
- последняя »
