Электроника. Ч.1: Письменные лекции. Антонов О.Г - 39 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

СЗТУ | Санкт-Петербург

Составители: 

Рубрика: 

39
Если к затвору полевого транзистора приложить напряжение U
з.и
, сме-
щающее p-n-переход в обратном направлении, то перекрытие канала наступит
при меньшем значении напряжения U
с.и
. Это объясняется тем, что к р-п-
переходу между затвором и стоком прикладывается обратное напряжение, рав-
ное │U
з.и
│+│ U
с.и
│.Полного перекрытия канала путем увеличения напряжения
U
с.и
получить нельзя, поскольку само перекрытие является следствием прохо-
ждения тока стока. В результате автоматически устанавливается некоторая ма-
лая ширина канала.
Область стоковых характеристик,
соответствующая напряжениям
0< U
СИ
< U
′
.
называется крутой или омиче-
ской. Последнее название связано с тем,
что дифференциальное сопротивление ка-
нала полевого транзистора в данной об-
ласти определяется напряжением на за-
творе. Вследствие этого полевые транзи-
сторы широко используются в качестве
переменных резисторов, управляемых
электрическим способом.
Участки стоковых характеристик,
снятые при U
СИ
>U
′
СИ.ПЕР
соответствуют
перекрытию канала (или насыщению).
При напряжении U
СИ
, большем напряже-
ния перекрытия, увеличиваются длина пе-
рекрытой части канала и его сопротивле-
ние (рис. 4). Если бы длина перекрытой части канала линейно зависела от на-
пряжения U
СИ
, то с ростом напряжения U
СИ
пропорционально увеличивалось
бы сопротивление канала, а проходящий через него ток стока оставался посто-
янным. На самом деле длина перекрытой части канала зависит от напряжения
U
СИ
так же, как глубина проникновения области объемного заряда в канал.
Длина перекрытой части канала и его сопротивление пропорциональны
СИ
U
и увеличиваются с ростом напряжения U
СИ
более медленно. Поэтому в
области перекрытия канала увеличение напряжения U
СИ
сопровождается не-
большим возрастанием тока стока.
При некотором напряжении U
СИ
наблюдается резкое увеличение тока
стока, свидетельствующее о пробое р-п-перехода. Такой пробой имеет электри-
ческий характер и всегда происходит между затвором и стоком, поскольку на-
пряжение между этими электродами максимальное. Если электрический пробой
является кратковременным и не успевает развиться тепловой пробой, то после
уменьшения напряжения на стоке или затворе свойства р-n-перехода и полево-
го транзистора восстанавливаются.
Начальный ток стока I
С.НАЧ
и напряжение отсечки U
ЗИ.ОТС
определяются
размерами и физическими параметрами полупроводникового кристалла (под-
Рис. 4.4

Страницы