Электроника. Ч.1: Письменные лекции. Антонов О.Г - 41 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

СЗТУ | Санкт-Петербург

Составители: 

Рубрика: 

41
сти I
З
=f(U
ЗИ
) при различных напряжениях
U
СИ
мало отличаются друг от друга,
вследствие чего представляются одной характеристикой.
4.4. Полевые транзисторы с изолированным затвором
В полевых транзисторах с изолированным затвором затвор изготавлива-
ется в виде металлической пластины, изолированной пленкой диэлектрика от
полупроводника. Роль канала в таких транзисторах выполняет тонкий поверх-
ностный слой кристалла с измененным типом электропроводности.
В зависимости от способа изменения типа электропроводности на по-
верхности кристалла различают транзисторы с индуцированным и встроенным
каналами. Такие приборы называют МДП-транзисторами, подчеркивая, что они
имеют структуру металл-диэлектрик—полупроводник. В транзисторах, изго-
товленных на основе кремния, в качестве диэлектрика обычно используется
диоксид кремния SiO
2
, поэтому такие МДП-транзисторы часто называют МОП-
транзисторами.
4.4.1. МДП-транзисторы с индуцированным каналом
Устройство и принцип
действия. Упрощенная
структура МДП-транзистора с
индуцированным каналом р-
типа показана на рис. 4.7, а. В
полупроводнике n-типа, на-
зываемом подложкой, мето-
дом диффузии образованы
две р
+
-области, не имеющие
между собой электрического соединения. Одна из них называется стоком, дру-
гая — истоком. Эти области отделены друг от друга двумя включенными
встречно p-n-переходами, образованными на границах р- и n-областей. Поэто-
му, если между стоком и истоком
включить источник постоянного
напряжения U
СИ
, то в цепи пойдет
очень малый ток, обуслов-
ленный обратным током p-n-
переходов.На рис. 4.7 пред-
ставлена структура кристалла по-
лупроводника МДП-транзистора с
индуцированным каналом р-типа.
Из-за этого в приповерхностном
слое образуются свободные уровни
— дырки. При некотором значении
внешнего напряжения на затворе концентрация дырок в этом слое может ока-
заться больше, чем концентрация электронов. Произойдет инверсия типа элек-
тропроводности. Слой с инверсной дырочной электропроводностью, отделен-
ный от полупроводника п-типа областью, обедненной свободными носителями
Ри
с. 4.7
Рис.4.8

Страницы