Составители:
Рубрика:
42
заряда, соединяет p
+
-области стока и истока, т. е. служит каналом. Если между
стоком и истоком включить внешний источник напряжения U
СИ
, то при
некото-
ром значении напряжения на затворе, которое называется пороговым (U
СИ.ПОР
),
в цепи сток-исток пойдет электрический ток. В канале транзистора этот ток
обусловлен движением дырок. Так как дырки должны двигаться от истока к
стоку, источник внешнего напряжения U
СИ
следует подключать отрицатель-
ным полюсом к стоку, а положительным - к истоку (см. рис. 4.7, б). Из-за паде-
ния напряжения на канале при прохождении по нему тока электрическое поле
вблизи истока оказывается больше, чем вблизи стока, вследствие чего канал у
истока шире, чем у стока.
При увеличении отрицательного напряжения на затворе глубина проник-
новения инверсного слоя в полупроводник будет увеличиваться. Это приведет к
увеличению электропроводности канала и к росту тока стока. Режим работы
полевого транзистора, при котором увеличение абсолютного значения напря-
жения на затворе приводит к увеличению тока стока, называется режимом обо-
гащения. Следовательно, МДП-транзисторы с индуцированным каналом могут
работать только в режиме обогащения и поэтому называются полевыми тран-
зисторами обогащенного типа. Если на затвор МДП-транзистора с рассмот-
ренной структурой подать положительное напряжение, произойдет приток
электронов к поверхности полупроводника, р-области стока и истока окажутся
разделенными областью с электропроводностью n-типа и ток стока уменьшится
до очень малого значения, определяемого обратным током включенных
встречно р-n-переходов.
4.4.2. Статические характеристики МДП-транзисторов с индуциро-
ванным каналом.
На рис. 4.8 показаны статические выходные (стоковые) характеристики
МДП-транзистора с индуцированным каналам р-типа. Эти характеристики сни-
маются при напряжениях на затворе, превышающих пороговое напряжение.
Если бы с ростом напряжения U
СИ
ширина индуцированного канала не
изменялась, его сопротивление оставалось бы постоянным, а зависимость I
С
=f(U
СИ
) - линейной. Но при увеличении тока стока увеличивается падение на-
пряжения на сопротивлении канала, вследствие чего он вблизи стока сужается.
Когда ток стока достигает определенного значения, канал вблизи стока также
почти перекрывается и происходит ограничение тока стока, как в транзисторах
с управляющим p-n-переходом. При увеличении отрицательного напряжения на
затворе стоковые характеристики смещаются вверх. Это обусловлено увеличе-
нием ширины канала и его электропроводности.
4.4.3. Ключевой режим МДП-транзистора
По сравнению с биполярными транзисторами у МДП-транзисторов необ-
ходимо отметить высокое быстродействие, обусловленное отсутствием в кана-
ле неравновесных носителей заряда и малыми величинами входной и выходной
емкостей (время переключения 1 … 0,4 нс). Высокое быстродействие сочетает-
ся с достаточно большими токами переключения (до 10 А за 15 нс).
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 40
- 41
- 42
- 43
- 44
- …
- следующая ›
- последняя »
