Составители:
Рубрика:
59
ПРЕДМЕТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ
Акцепторная примесь 9
Аноды 47
Арсенид галлия 5
Арсенид – галлиевые
светодиоды 57
База 27
Биполярные транзисторы 27
Биполярные транзисторы СВЧ 52
Валентные электроны 7
Варикапы 23
Виды источников излучения 54
Влияние температуры на
вольтамперную характеристику 13
Вольтамперная характеристика
p-n-перехода 10
Время переключения оптопары 56
Выпрямительные диоды 17
Высокочастотные диоды 18
Входные характеристики 29
Выходные характеристики 30
Г
ерманий 5
Германиевые диоды 12
Динамические свойства анода 48
Динатронный эффект 50
Диодные оптопары 57
Диодно-транзисторные оптопары 57
Дифференциальное сопротивление
p-n-перехода 10
Дифференциальные параметры
транзисторов 33
Диод Шотки 26
Добротность оптрона 57
Диффузионный ток 8
Донорная примесь 9
Дрейфовый ток 8
Дырка 6
Емкость диода 15
Закон степени трех вторых 48
Запрещенная зона 7
Затвор 37
Затворные характеристики полевого
транзистора 40
Защитная сетка 50
Зона проводимости 7
Избыточные основные носители 9
Импульсные диоды 19
Изолированный затвор 37
Исток 37
Канал 37
Канал n-типа 38
Канал p-типа 38
Ключевой режим МДП-
транзистора 42
Коллектор 27
Конструкции анодов 47
Коэффициент передачи
тока эмиттера 28
Коэффициент усиления 50, 53
Коэффициент шума 51
Кремниевые диоды 21
Крутизна 50
Люминисценция твердых тел 54
Максимальная частота генерации 55
МДП (МОП)-транзистор 37
МДП-транзистор с индуцированным
каналом 41
Меза-структура 21
Металлополупроводниковые
диоды 25
Мощность рассеяния транзистора 32
Напряжение отсечки 37
Неравновесные носители заряда 8
Носители заряда в полупроводни-
ках 7
