Составители:
Рубрика:
60
Обращенные диоды 25
Оптопара 55
Оптоэлектроника 55
Оптрон 54
Оптрон как элемент гальванической
развязки 55
Оптрон с составным фототранзисто-
ром 57
Особенности СВЧ и оптического
диапазона 50
Параметры изоляции оптопары 56
Параметры импульсных диодов 20
Параметры катода 44
Пентоды 50
Перекрытие канала 39
Перенос носителей заряда 8
Планарно-эпитаксиальный диод 15
Пленочные катоды 45
Подложка 41
Подогревные катоды 45
Полевые транзисторы 36
Полевые транзисторы СВЧ 53
Полевые транзисторы с изолирован-
ным затвором 41
Полупроводники 4
Полупроводниковые вещества 5
Полупроводниковые диоды 11
Полупроводниковые катоды 46
Полупроводниковый стабилитрон 21
Потенциальный барьер 9
Предельно допустимая температура
диода 13
Предельные импульсные параметры
транзистора 33
Предельные режимы биполярного
транзистора 31
Приборы оптического диапазона 53
Применение варикапов 23
Примеси в полупроводниках 4
Проводимость полупроводников 4
Пространственный заряд 9
Прямонакальные катоды 44
Равновесные носители заряда 8
Распределение потенциала в бипо-
лярном транзисторе 28
Режим инжекции 27
Резисторные оптопары 56
Рекомбинация носителей 8
Свободные носители заряда 6
Система h-параметров 34
Система Y-параметров 35
Система Z-параметров 36
Собственные носители заряда 7
Собственный полупроводник 7
Собственная электропроводность 7
Статическая и теоретическая вольт-
амперная характеристики диода 12
Сток 40
Стоко-затворная характеристика 40
Стоковые характеристики МДП-
транзистора с индуцированным ка-
налом 42
Структура p-n перехода 8
Схема с общей базой 27
Т
емновой ток 56
Температура коллекторного перехо-
да 32
Тепловое сопротивление 32
Тепловой пробой диода 14
Термогенерация носителей 6
Термоэлектронная эмиссия 3
Тетроды 49
Типы импульсных диодов 21
Туннельные диоды 23
Управляющий p-n-переход 37
Усилительный эффект 28
Устройство вакуумного диода 43
Устройство вакуумного триода 49
Фоторезисторы 56
Электрон 6
Электроника 4
Электропроводность полупроводни-
ков 3
