Применение гальваномагнитных явлений в полупроводниках для создания приборов и устройств СВЧ диапазона. Антропов В.А - 110 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ПГУ | Пенза

Составители: 

Рубрика: 

110
Рис. 3.9
Вольтовая чувствительность, вычисленная из эксперимента для датчиков из
InSb , составила 5,5·10
-5
В/Вт, а для датчиков из InAs – 2,5·10
-5
В/ Вт.Как
видно из рис.3.15 ЭДС Холла линейно зависит от величины импульсной
проходящей мощности вплоть до 20·10
3
Вт, что соответствует (в пределах
точности эксперимента) теоретически рассчитанной средней мощности
12 вт.
Очевидно, что верхний предел измерения импульсной проходящей
мощности ваттметра на основе двухэлектродного датчика Холла может быть
увеличен путём расположения датчика вблизи одной из узких стенок волно-
вода.
3.9 Способы повышения чувствительности датчиков
Холла на СВЧ.
3.9.1 Высокочувствительный охлаждаемый датчик Холла из InSb на
СВЧ.
В главе 2 была указана принципиальная возможность увеличения
чувствительности датчиков ЭДС Холла путём использования сверхчистых 
                                       Рис. 3.9

Вольтовая чувствительность, вычисленная из эксперимента для датчиков из
InSb , составила 5,5·10-5В/Вт, а для датчиков из InAs – 2,5·10-5 В/ Вт.Как
видно из рис.3.15 ЭДС Холла линейно зависит от величины импульсной
проходящей мощности вплоть до 20·103 Вт, что соответствует (в пределах
точности эксперимента) теоретически рассчитанной средней мощности

12 вт.

         Очевидно, что верхний предел измерения импульсной проходящей
мощности ваттметра на основе двухэлектродного датчика Холла может быть
увеличен путём расположения датчика вблизи одной из узких стенок волно-
вода.

     3.9 Способы повышения чувствительности датчиков
Холла на СВЧ.
     3.9.1 Высокочувствительный охлаждаемый датчик Холла из InSb на
СВЧ.
         В главе 2 была указана принципиальная возможность увеличения
чувствительности датчиков ЭДС Холла путём использования сверхчистых
                                                                         110

Страницы