Применение гальваномагнитных явлений в полупроводниках для создания приборов и устройств СВЧ диапазона. Антропов В.А - 123 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ПГУ | Пенза

Составители: 

Рубрика: 

123
Рис. 3.18
Если эффект магнитосопротивления на СВЧ существует, то сопро-
тивление датчика равно
tmHRR
x
ω
cos
0
+=
, (3.31)
где
0
R
– начальное сопротивление, зависящее от величины внешнего
магнитного поля
0
H
, направленного по оси
x
и смещающего рабочую
точку;
x
H
– амплитудное значение
x
- компоненты магнитного поля волны
в волноводе;
0
H
dH
dR
m
=
– коэффициент, характеризующий крутизну зависимости
( )
HR
при данном постоянном магнитном поле
0
H
.
Если током смещения в образце можно пренебречь по сравнению с
компонентой тока, проводимости, то, перемножая (3.30) и (3.31) , можно за-
писать
)cos)2(cos(
2
)cos(
0
ϕϕω
β
ϕωβ
++++= t
HmE
tERIR
xy
y
(3.32) 
                                                    Рис. 3.18

         Если эффект магнитосопротивления на СВЧ существует, то сопро-
тивление датчика равно

         R = R0 + mH x cos ωt ,                                               (3.31)

где      R0 – начальное сопротивление, зависящее от величины внешнего

магнитного поля H 0 , направленного по оси x и смещающего рабочую

точку;

          H x – амплитудное значение x - компоненты магнитного поля волны

в волноводе;

            dR 
         m=     – коэффициент, характеризующий крутизну зависимости
            dH  H 0

R(H ) при данном постоянном магнитном поле H 0 .

         Если током смещения в образце можно пренебречь по сравнению с
компонентой тока, проводимости, то, перемножая (3.30) и (3.31) , можно за-
писать

                                       βmE y H x
         IR = βR0 E y cos(ωt + ϕ ) +               (cos(2ωt + ϕ ) + cos ϕ )   (3.32)
                                           2

                                                                                       123

Страницы