Применение гальваномагнитных явлений в полупроводниках для создания приборов и устройств СВЧ диапазона. Антропов В.А - 124 стр.

       Постоянная составляющая величины напряжения, обусловленная
эффектом магнитосопротивления, равна

              βmE y H x cos ϕ
       VG =                                                   (3.33)
                      2

       Если током смещения можно пренебречь, то cos ϕ = 1, тогда
              βmE y H x       βmP
       VG =               =                                   (3.340)
                  2            2
       будет представлять ту постоянную составляющую напряжения, сни-
маемую с образца, которая пропорциональна проходящей мощности элек-
тромагнитной волны.

       Экспериментальное исследование эффекта магнитосопротивления в
диапазоне СВЧ проводилось по блок- схеме представленной на рис.3.19.
В этой установке: 1 – клистронный генератор с частотой 9870 МГц с макси-
мальной мощностью 800 мВт в непрерывном режиме, 2 – аттенюатор типа
Д5 – 5, 3 – индикатор уровня мощности, 4 – секция с датчиком магнитосо-
противления, 5 – индикатор напряжения Ф – 116/1, 6 – поглощающая
нагрузка.




                                    Рис. 3.19

       Размещение образца в волноводе показано на рис.3.18. Секция с дат-
чиком магнитосопротивления располагалась между полюсами электромаг-
нита, напряжённость магнитного поля которого равнялась 350 кА/м. Такая
напряжённость магнитного поля соответствует рабочей точке на линейном
участке характеристики датчика № 1 на постоянном токе (рис.3.20). Для ис-

                                                                        124