Применение гальваномагнитных явлений в полупроводниках для создания приборов и устройств СВЧ диапазона. Антропов В.А - 145 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ПГУ | Пенза

Составители: 

Рубрика: 

145
Рис. 4.17
Экспериментальное и теоретическое распределение структуры элек-
тромагнитного поля в волноводе приведено на рис.4.28, где по оси ординат
откладываются отношения ЭДС Холла в какой-либо точке вдоль широкой
стенки волновода к максимальному значению ЭДС, а по оси абсцисс - поло-
жение датчика в поперечном сечении волновода.
Как видно из рис.4.17, наблюдается хорошее соответствие экспери-
ментальных точек и теоретической кривой. Это свидетельствует о прене-
брежимо малых возмущениях, вносимых датчиком в исследуемое поле. 
                                    Рис. 4.17

       Экспериментальное и теоретическое распределение структуры элек-
тромагнитного поля в волноводе приведено на рис.4.28, где по оси ординат
откладываются отношения ЭДС Холла в какой-либо точке вдоль широкой
стенки волновода к максимальному значению ЭДС, а по оси абсцисс - поло-
жение датчика в поперечном сечении волновода.

       Как видно из рис.4.17, наблюдается хорошее соответствие экспери-
ментальных точек и теоретической кривой. Это свидетельствует о прене-
брежимо малых возмущениях, вносимых датчиком в исследуемое поле.




                                                                    145

Страницы