Применение гальваномагнитных явлений в полупроводниках для создания приборов и устройств СВЧ диапазона. Антропов В.А - 147 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ПГУ | Пенза

Составители: 

Рубрика: 

147
нии датчика I на расстоянии 4 мм от стенки; 1 - кривая, полученная при раз-
мещении I датчика на расстоянии 8 мм от стенки.
Как видно из рисунков, датчик практически не вносит искажения в
распределение плотности потока мощности в волноводе.
Рис. 4.20
Исследование структуры электромагнитного поля вблизи рупора
проводилось по блок-схеме (рис.4.20), где I - генератор ГЗ-27; 2 - излучатель
(рупор с максимальными размерами отверстия (23x24) мм
2
; 3 -устройство с
датчиком Холла, аналогичное устройству (П); 4 - индикатор ЭДС Холла.
Рис. 4.21
Результаты исследований структуры электромагнитного поля в от-
верстии рупора при перемещении датчика Холла вдоль осей (рис. 4.21) при-
ведены на рис. 4.22-4.24. 
нии датчика I на расстоянии 4 мм от стенки; 1 - кривая, полученная при раз-
мещении I датчика на расстоянии 8 мм от стенки.

       Как видно из рисунков, датчик практически не вносит искажения в
распределение плотности потока мощности в волноводе.




                                     Рис. 4.20

       Исследование структуры электромагнитного поля вблизи рупора
проводилось по блок-схеме (рис.4.20), где I - генератор ГЗ-27; 2 - излучатель
(рупор с максимальными размерами отверстия (23x24) мм2; 3 -устройство с
датчиком Холла, аналогичное устройству (П); 4 - индикатор ЭДС Холла.




                                      Рис. 4.21

       Результаты исследований структуры электромагнитного поля в от-
верстии рупора при перемещении датчика Холла вдоль осей (рис. 4.21) при-
ведены на рис. 4.22-4.24.




                                                                        147

Страницы