Применение гальваномагнитных явлений в полупроводниках для создания приборов и устройств СВЧ диапазона. Антропов В.А - 161 стр.

между отверстиями и диаметр отверстий таких же величин, как и в основа-
нии.

       Один из электродов каждого датчика Холла является общим и зазем-
ляется в коммутирующей системе. Нами было изготовлено несколько мно-
гоэлементных структур. Одни из них состояли из 25 датчиков Холла(5 строк
и 5 столбцов), другие из 100 датчиков (10 строк и 10 столбцов). Здесь необ-
ходимо отметить, что трудность изготовления многоэлементной структуры
заключается в том, что благодаря особенности возникновения эффекта Хол-
ла на СВЧ, датчики Холла располагаются не в плоскости многоэлементной
структуры, а в плоскости перпендикулярной ей. В связи с этим и возникают
определённые трудности. Поэтому и при изготовлении многоэлементной
структуры из плёночных датчиков Холла необходимо напылять датчики по
строкам (рис. 5.3), а располагать их по столбцам.
       При создании многоэлементной структуры из 100 датчиков Холла
панель для них состоит из 10 брусочков размерами (100×8×8) мм3. Брусочки
вырезаются из мелкопористого пенопласта, как материала, не вносящего за-
метных искажений в распределение плотности потока мощности электро-
магнитного поля СВЧ. На каждый из брусочков наклеивалось по 10 датчи-
ков размерами (2×1×0,15) мм3 на расстоянии 2λ между центрами датчиков.
На стороне противоположной датчикам приклеивалось поглощающее по-
крытие. Эти брусочки вставляются в специальные пазы так, чтобы плос-
кость датчика была перпендикулярна плоскости преобразующего устрой-
ства. На контактной поверхности контакты распаиваются соответствующим
образом. За контактной поверхностью располагаются разъёмы, от которых
тянутся провода к коммутирующей системе. Для устранения наводок много-
элементная структура, контактная поверхность и разъёмы помещаются в
металлический корпус. С этой же целью 101 провод от разъёмов помещают-
ся в металлическую оплётку. Передняя часть многоэлементной структуры
закрывается крышкой из фторопласта, рис 5.1.


                                                                       161