Применение гальваномагнитных явлений в полупроводниках для создания приборов и устройств СВЧ диапазона. Антропов В.А - 163 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ПГУ | Пенза

Составители: 

Рубрика: 

163
плоскости линзы. На экране осциллографа наблюдалась дифракционная кар-
тина, соответствующая данной длине волны и диаметру линзы. С помощью
аттенюатора мощность СВЧ в волноводе уменьшалась до такой величины,
при которой ещё наблюдалось свечение точек на экране осциллографа. Это
позволило определить чувствительность приёмо-передающей системы. Из-
меренная таким образом чувствительность системы оказалась равной 10
-9
Вт/м
2
.
Литература.
1. В.А. Антропов, Л.Х. Антропова и др. Измеритель плотности пото-
ка мощности сверхвысокой частоты. ПТЭ, 1974, № 5, с. 99-101.
2. Ансельм А.И. Введение в теорию полупроводников, Физма-
тгиз,1962.
3. Harding J.W., Proc.Roy.Soc., 140А, 205 (1933).
4. Богомолов В.Н., ЖТФ, 27, 663,1957.
5. Weiss H., Welker H., Z. Phys., 138, 322 (1957).
6. Н.И.Чистяков, В.М.Сидоров. Радиоприёмные устройства. Связь,
М., 1974.
7. В.В. Галаванов, Физ. тв. Тела, 2, № 1,62, 1960.
8. Isenberg J, Russel B.R, Greene R.F., Rev. Sei, Inst,V, 19, № 10, p.685-
688, 1948.
9. Wick R. F., J.Appl.Phys. V.25, №6, p.741-756,1954.
10. Kuhrt F., Siemens Zs, 28, 370, 1954.
11. Lippman H. I., Kuhrt F., Z.f.Naturf. V.6, В-13-А,1958.
12. Buck T.M., the Surface Chemistry of Metals and Semiconductor, ed.
Gatos H.C., Sohn, Wiley.
13. Gatos H.C., Lavine M.C., Warekois E.P., J. Elektrochem.,
Soc.,108,645,1961.
14. W.Bardsley, R.L.Bell. J. Electronics and Control, 1957, 3, p. 103-105. 
плоскости линзы. На экране осциллографа наблюдалась дифракционная кар-
тина, соответствующая данной длине волны и диаметру линзы. С помощью
аттенюатора мощность СВЧ в волноводе уменьшалась до такой величины,
при которой ещё наблюдалось свечение точек на экране осциллографа. Это
позволило определить чувствительность приёмо-передающей системы. Из-
меренная таким образом чувствительность системы оказалась равной 10-9
Вт/м2.
         Литература.
         1. В.А. Антропов, Л.Х. Антропова и др. Измеритель плотности пото-
ка мощности сверхвысокой частоты. ПТЭ, 1974, № 5, с. 99-101.
         2. Ансельм А.И. Введение в теорию полупроводников, Физма-
тгиз,1962.

         3. Harding J.W., Proc.Roy.Soc., 140А, 205 (1933).
         4. Богомолов В.Н., ЖТФ, 27, 663,1957.
         5. Weiss H., Welker H., Z. Phys., 138, 322 (1957).
         6. Н.И.Чистяков, В.М.Сидоров. Радиоприёмные устройства. Связь,
М., 1974.
         7. В.В. Галаванов, Физ. тв. Тела, 2, № 1,62, 1960.

         8. Isenberg J, Russel B.R, Greene R.F., Rev. Sei, Inst,V, 19, № 10, p.685-
688, 1948.
         9. Wick R. F., J.Appl.Phys. V.25, №6, p.741-756,1954.
         10. Kuhrt F., Siemens Zs, 28, 370, 1954.
         11. Lippman H. I., Kuhrt F., Z.f.Naturf. V.6, В-13-А,1958.
         12. Buck T.M., the Surface Chemistry of Metals and Semiconductor, ed.
Gatos H.C., Sohn, Wiley.

         13. Gatos H.C., Lavine M.C., Warekois E.P., J. Elektrochem.,
Soc.,108,645,1961.

         14. W.Bardsley, R.L.Bell. J. Electronics and Control, 1957, 3, p. 103-105.



                                                                              163

Страницы