Применение гальваномагнитных явлений в полупроводниках для создания приборов и устройств СВЧ диапазона. Антропов В.А - 17 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ПГУ | Пенза

Составители: 

Рубрика: 

17
При практическом использовании датчиков ЭДС Холла встречаются
задачи двух типов. В одном случае требуется получение максимальной, при
данной мощности рассеяния, ЭДС Холла, причём входное сопротивление
схемы может быть как угодно велико. В другом случае – целью является по-
лучение максимальной мощности в цепи Холла.
Для осуществления оптимальных по своим параметрам датчиков
Холла, работающих по первому принципу, необходимо изготавливать их из
материала, обладающего малой концентрацией носителей заряда одного
знака, т.е. большим значением постоянной Холла
H
R
.
Во втором случае для согласования датчика с прибором материал
должен удовлетворять двум условиям: сопротивление образца не должно
быть слишком мало и подвижность носителей заряда должна быть доста-
точно высокой.
Остановимся на некоторых общих требованиях, предъявляемых к
датчикам Холла и к материалам, из которых изготавливаются эти датчики.
Для изготовления датчиков Холла используются такие материалы,
как
.;;;;; HgTeHgSeGaAsInSbInAsGe
Датчик ЭДС Холла характеризуется следующими параметрами:
1. вольтовая чувствительность, численно равная ЭДС Холла
H
U
в
магнитном поле с индукцией в 1 Тл
B
U
x
=
γ
;
2. уровень шума и пороговая чувствительность, т.е. минимальное
значение магнитной индукции, которое может почувствовать датчик;
3. коэффициент использования
вх
вых
P
P
=
η
,
где
вых
P
- мощность, снимаемая с датчика Холла,
вх
P
- мощность, подводимая к датчику Холла от внешнего источника; 
        При практическом использовании датчиков ЭДС Холла встречаются
задачи двух типов. В одном случае требуется получение максимальной, при
данной мощности рассеяния, ЭДС Холла, причём входное сопротивление
схемы может быть как угодно велико. В другом случае – целью является по-
лучение максимальной мощности в цепи Холла.

        Для осуществления оптимальных по своим параметрам датчиков
Холла, работающих по первому принципу, необходимо изготавливать их из
материала, обладающего малой концентрацией носителей заряда одного
знака, т.е. большим значением постоянной Холла RH .

        Во втором случае для согласования датчика с прибором материал
должен удовлетворять двум условиям: сопротивление образца не должно
быть слишком мало и подвижность носителей заряда должна быть доста-
точно высокой.

        Остановимся на некоторых общих требованиях, предъявляемых к
датчикам Холла и к материалам, из которых изготавливаются эти датчики.

        Для изготовления датчиков Холла используются такие материалы,
как Ge; InAs; InSb; GaAs; HgSe; HgTe.

        Датчик ЭДС Холла характеризуется следующими параметрами:

           1. вольтовая чувствительность, численно равная ЭДС Холла U H в
магнитном поле с индукцией в 1 Тл

                                     Ux
                               γ =      ;
                                     B
        2. уровень шума и пороговая чувствительность, т.е. минимальное
значение магнитной индукции, которое может почувствовать датчик;
                                            Pвых
        3. коэффициент использования η =         ,
                                            Pвх

где      Pвых - мощность, снимаемая с датчика Холла,

         Pвх - мощность, подводимая к датчику Холла от внешнего источника;


                                                                         17

Страницы