Применение гальваномагнитных явлений в полупроводниках для создания приборов и устройств СВЧ диапазона. Антропов В.А - 16 стр.

и Δρ / ρ для пленок этих материалов примерно в 16 раз меньше, чем для мо-
нокристаллов.
         В.Н. Богомоловым [4] показано, что магниторезистивный эффект
всё же может быть использован для регистрации слабых магнитных полей.
Однако, для этого необходимо прибегнуть к применению дополнительного
фиксированного смещающего поля большой величины. Такое техническое
усложнение, обусловленное использованием строго постоянного и доста-
точно сильного магнитного поля, резко ограничивает область применения
этих датчиков.
         Кроме того, чувствительность датчиков магнитосопротивления мо-
жет быть повышена путём использования датчиков специальной формы,
например, диска Корбино, исключающего паразитное влияние эффекта
Холла.
         Как показали Weiss H., Welker H. [5] изменение сопротивления в
магнитном поле для образца в форме диска Корбино значительно больше,
чем у образцов любой другой формы.

     ГЛАВА 2. Некоторые вопросы разработки
устройств на основе гальваномагнитных явлений.

         Эксплуатационные свойства полупроводниковых устройств на осно-
ве гальваномагнитных явлений существенно зависят как от свойств и осо-
бенностей полупроводникового материала, так и от технологии изготовле-
ния их рабочих элементов. В этой главе приводятся параметры датчиков
ЭДС Холла, являющихся основным элементом рассматриваемых устройств
и технология их изготовления. Обсуждаются также вопросы оценки по-
грешности измерителей магнитных полей на основе датчиков ЭДС Холла и
пути повышения их чувствительности.

     2.1.Параметры устройств и обоснование выбора полу-
проводниковых материалов для их изготовления.


                                                                          16