Применение гальваномагнитных явлений в полупроводниках для создания приборов и устройств СВЧ диапазона. Антропов В.А - 34 стр.

не теряет или заметно не ухудшает основных своих характеристик – концен-
трации и подвижности электронов. Поэтому минимально возможную тол-
щину датчика можно рассматривать как один из показателей полупроводни-
ка, из которого он изготавливается. Наиболее тонкие датчики в виде плёнок
можно получить испарением в вакууме селенида и теллурида ртути ( HgSe
и HgTe ). Их характеристики мало отличаются от характеристик кристаллов
этих веществ.

       Можно также получать плёночные датчики Холла из антимонида и
арсенида индия JnSb и JnAs .

       Создание плёночных датчиков из названных низкоомных полупро-
водниковых материалов представляется особенно интересным, поскольку с
уменьшением толщины датчика будет расти его сопротивление и, следова-
тельно, шум. Это облегчит измерение пороговой чувствительности датчика.

       Как видно из формулы (2.8) величина пороговой чувствительности
обратно пропорциональна подвижности электронов и ширине датчика. По-
этому для измерения очень слабых полей нужно использовать полупровод-
никовые материалы с высокой подвижностью электронов, а ширину датчика
выбирать как можно больше. При этом необходимо сохранять отношение

  ≥ 2 ÷ 3 , хотя при заданной длине датчика вероятно выгоднее выбирать
в
форму датчика, близкой к квадратной.

       Такие параметры датчика как максимальная мощность рассеяния,
входное и выходное сопротивления датчика мы фактически уже рассмотре-
ли, поэтому ещё раз не будем на них останавливаться.

       8.   Коэффициент неэквипотенциальности.
       При изготовлении датчиков Холла обычно не удаётся расположить
электроды Холла точно на эквипотенциальной линии, поэтому при прохож-
дении тока через датчик на электродах Холла и без включения магнитного


                                                                         34