Применение гальваномагнитных явлений в полупроводниках для создания приборов и устройств СВЧ диапазона. Антропов В.А - 94 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ПГУ | Пенза

Составители: 

Рубрика: 

94
диапазоне частот не должна проявиться. Экспериментально это будет пока-
зано в следующем разделе.
3.5.7 Зависимость ЭДС Холла от угла между плоскостью датчика и
плоскостью поляризации волны.
При взаимодействии электромагнитной волны типа
10
H
с двухэлек-
тродным датчиком Холла (рис.3.2), электрическая составляющая
y
E
вызы-
вает движение носителей заряда в нем. А под действием магнитной состав-
ляющей поля
x
H
, движущиеся заряды отклоняются к боковым граням дат-
чика. Вследствие этого ЭДС Холла
H
U
, которую можно представить в виде:
zxyH
kPHkEU ==
, (3.25)
где k – коэффициент пропорциональности, зависящий от физических
свойств материала и геометрии датчика;
z
P
- плотность потока мощности СВЧ.
Рис. 3.2 
диапазоне частот не должна проявиться. Экспериментально это будет пока-
зано в следующем разделе.


       3.5.7 Зависимость ЭДС Холла от угла между плоскостью датчика и
плоскостью поляризации волны.
       При взаимодействии электромагнитной волны типа H 10 с двухэлек-
тродным датчиком Холла (рис.3.2), электрическая составляющая E y вызы-
вает движение носителей заряда в нем. А под действием магнитной состав-
ляющей поля H x , движущиеся заряды отклоняются к боковым граням дат-
чика. Вследствие этого ЭДС Холла U H , которую можно представить в виде:

       U H = kE y H x = kPz ,                                      (3.25)
где    k – коэффициент пропорциональности, зависящий от физических
свойств материала и геометрии датчика;

       Pz - плотность потока мощности СВЧ.




                                             Рис. 3.2




                                                                      94

Страницы