Составители:
26
3.3. Плоские задачи теории упругости. Остаточные термические
напряжения в тонкой пленке GaN на сапфировой подложке
[Лабораторная работа №3]
Краткое описание работы
Имеется тонкая пленка GaN, ориентации [0001], выращенная на
сапфировой подложке (на c грани сапфира) (Рис. 14). Полагаем, что все
напряжения, возникшие в процессе роста срелаксировали. Термические
напряжения в пленке возникают при охлаждении на как
следствие рассогласования коэффициентов термического напряжения
пленки и подложки. Толщина пленки
мкм, толщина подложки
мкм. Материал пленки и подложки ортотропный, значения упругих
модулей: для GaN:
,
,
,
,
, для сапфира:
,
,
,
,
. Коэффициенты термического
расширения GaN:
,
, сапфира:
,
. Требуется с помощью
программного комплекса конечно-элементного анализа ANSYS получить
напряженно-деформированное состояние (НДС) структуры
пленка/подложка, найти значение напряжений
в пленке. Подобрать
подходящий продольный размер структуры, чтобы реализовать
приближение тонкой пленки. Получить сеточную сходимость. Сравнить
полученные результаты с аналитическим решением.
Цель работы
Ознакомление с возможностями программного комплекса ANSYS
при моделировании НДС в тонких пленках; реализация приближения
тонкой пленки, задание анизотропных свойств материалов.
Рис. 14 Схема структуры GaN/сапфир
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 25
- 26
- 27
- 28
- 29
- …
- следующая ›
- последняя »
