Составители:
27
Теоретическая справка
Получим аналитические выражения для напряжений в тонкой пленке
GaN на сапфировой подложке.
Ввиду того, что подложка толстая, упругими деформациями и
напряжениями в ней пренебрегаем. Отсюда следует, что изгиба верхнего
слоя нет.
Собственные деформации в верхнем слое по осям x и y:
.
Очевидно, что
,
. Ввиду симметрии и того факта,
что кристаллографическая ось c параллельна оси z, равны нулю
следующие компоненты тензора деформаций:
,
,
.
Т.к. поверхность пленки не нагружена, то
. Ввиду симметрии
касательные напряжения в плоскостях, параллельных плоскости также
равны нулю:
. Из граничных условий также следует, что
и
.
Закон Гука:
или в более компактной записи (см. [3]):
.
Для гексагональной решетки монокристалла GaN:
.
Таким образом, получаем следующие уравнения:
.
С учётом граничных условий, получим:
.
Следует отметить, что полная деформация
равна:
.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 26
- 27
- 28
- 29
- 30
- …
- следующая ›
- последняя »
