Атомная физика. - 45 стр.

UptoLike

Рубрика:

(рис.1). В металлах зона проводимости частично заполнена электронами, в

полупроводниках и диэлектриках зона проводимости свободна от

запрещенная

зона

V - зона

C - зона

Рис.1. Образование энергетических зон в кристалле из атомных состояний.

Уровни E

, E

и E

являются разрешенными энергетическими уровнями изоли-

рованного атома (уровни E

и E

заняты электронами, на уровне E

электронов

нет). d - расстояние между соседними атомами, d

- равновесное расстояние

между соседними атомами

электронов, и для перевода в нее электронов им необходимо сообщить энер-

гию, достаточную для преодоления запрещенной зоны. В отличие от диэлек-

триков, ширина запрещенной зоны которых велика (несколько электрон-вольт),

перевод электронов в зону проводимости в полупроводниках, ширина запре-

щенной зоны которых составляет величину порядка

электрон-вольта, можно

осуществить достаточно легко, в том числе путем облучения полупроводника

светом. Собственное или фундаментальное поглощение света в полупроводни-

ках, обусловленное переходами электронов из валентной зоны в зону проводи-

мости в результате поглощения ими фотонов, энергия которых превышает ши-

рину запрещенной зоны, является характеристическим для вещества, посколь-

ку оно

определяется структурой зон. Спектр поглощения представляет собой

непрерывную кривую, более или менее круто спадающую в области больших

длин волн (рис.2).