Атомная физика. - 57 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

СГУ им. Чернышевского | Саратов

Рубрика: 

14
(1-R)RI
0
exp(-D)
(1-R)I
0
exp(-D)
(1-R)I
0
d
(1-R)
2
R
4
I
0
exp(-5D)
(1-R)
2
R
2
I
0
exp(-3D)
(1-R)
2
I
0
exp(-D)
RI
0
I
0
Рис.6. Изменение интенсивности светового пучка при его
прохождении через слой полупроводника
В случае, когда оптическая плотность образца
D
<
1, интенсивность про-
шедшего через него светового потока будет являться суммой интенсивностей
всех составляющих его компонентов и пропускание образца можно оценить как
T
1R D 1R R 3D
0
2
0
22
0
0
==
−−+− −+
=
I
I
II
I
вых
( ) exp( ) ( ) exp( )
⋅⋅⋅
=
−
−−
( ) exp( )
exp( )
1R D
1R 2D
2
2
−
. (25)
В случае, когда D
>
1, справедливым становится выражение
T1R D
2
=− −( ) exp( )
. (26)
Величина
α
у полупроводниковых материалов меняется в широких пре-
делах: от 10
-2
до 10
5
см
-1
. Поэтому при измерении коэффициента поглощения
обычно подбирается такая толщина образца, чтобы его оптическая плотность

Страницы