Рубрика:
13
Таким образом, длина волны
λ
гр
, соответствующая границе собственно-
го поглощения, позволяет по формуле (22) определить ширину запрещенной
энергетической зоны, а зависимость коэффициента поглощения от частоты
вблизи края собственного поглощения - тип оптического перехода: для разре-
шенного перехода
α
(
ν
)
∼
ν
1/2
, для запрещенных -
α
(
ν
)
∼
ν
3/2
.
Поглощение света слоем полупроводника конечной толщины
При падении светового пучка интенсивностью
I
0
на поверхность слоя по-
лупроводника толщиной
d
часть его
RI
0
отражается на границе раздела воз-
дух/полупроводник (
R
- френелевский коэффициент отражения), а оставшаяся
часть (
1
-
R)I
0
проходит внутрь полупроводника
.
По мере распространения внут-
ри слоя интенсивность света согласно закону Бугера-Ламберта экспоненциаль-
но уменьшается и после частичного отражения света на второй границе разде-
ла полупроводник/воздух из слоя выходит световой поток с интенсивностью,
определенной следующим образом (рис.6):
I
T
= I
0
(1-R)
2
exp(-D),
(24)
где
D
=
α
d -
оптическая плотность слоя толщиной
d
,
α
- коэффициент поглоще-
ния полупроводника.
Для вычисления коэффициента поглощения полупроводника
α
при нор-
мальном падении пренебрегая интерференцией выходящих лучей можно ис-
пользовать два выражения.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 54
- 55
- 56
- 57
- 58
- …
- следующая ›
- последняя »
