Рубрика:
11
E
g
E
V
E
C
0
aa
π
π
k
E(k)
Рис.5. Схема стандартных, или параболических, зон в полупроводниках.
E
C
- E
V
= E
g
В этом случае из соотношения (14) можно определить число энергетических
состояний электрона на единицу объема кристалла у нижней границы зоны
проводимости
gEdE
m
h
EE dE
jj
n
j
CC
()
()
()=−
∗
4
2
3
2
3
1
2
π
j
(17)
и у верхней границы валентной зоны
gEdE
m
h
EEdE
ii
p
i
VV
()
()
()=−
∗
4
2
3
2
3
1
2
π
i
. (18)
В межзонных переходах с поглощением энергии фотона
h
ν
участвуют только
состояния
E
i
и
E
j
, удовлетворяющих условию
hEEEE
k
ji
ν
=−= +
∗
+
∗
⎛
⎝
⎜
⎜
⎞
⎠
⎟
⎟
−
CV
22
2
11h
mm
np
,
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 52
- 53
- 54
- 55
- 56
- …
- следующая ›
- последняя »