ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
250
При этом усилие захвата (удержание кристалла) создается вследствие
перепада давления (атмосферного и разрежения в капилляре инструмента).
Приведенные в соприкосновение кристалл и основание корпуса нагреваются до
температуры пайки (400–420 °С). Столик нагревается при этом до более
высокой температуры, чем инструмент.
Процесс осуществляется без применения флюсов с использованием
струйной защиты нейтральным газом, подаваемым через сопло 6 к месту пайки.
Для разрушения и удаления окисных пленок с поверхности соединяемых
деталей, а также для равномерного распределения образующейся жидкой фазы
инструменту придают возвратно-поступательное движение от вибратора 9.
При монтаже кристаллов небольших размеров (3×3 мм) используют как
ультразвуковые, так и низкочастотные колебания, а для кристаллов больших
размеров – в основном низкочастотные с большой амплитудой (до 0,5–0,8 мм).
Процесс контактного плавного полупроводника и золота зависит от
рабочей температуры столика, температуры инструмента, усилия прижатия
инструмента, продолжительности процесса, амплитуды колебаний
инструмента, расхода защитного газа.
Существенное влияние на характеристики соединения оказывают
состояние поверхности и толщина золотого покрытия корпуса.
Экспериментально установлено, что для образования качественного
соединения толщина золотого покрытия должна быть не менее 3 мкм.
Об окончании процесса пайки судят по образованию жидкой фазы по
периметру кристалла.
В современных установках для присоединения кристалла к основанию
корпуса все операции осуществляются автоматически, в том числе
вспомогательные: подача кристалла, захват кристалла с помощью вакуумного
инструмента, перенос кристалла на позицию пайки, подача корпуса, опускание
инструмента в заданную точку. Схема одного из автоматов для присоединения
кристалла приведена на рис. 154.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 249
- 250
- 251
- 252
- 253
- …
- следующая ›
- последняя »
