Составители:
Рубрика:
Емкость (рис. 2.1, а) не пропускает постоянное на-
1бл
С
пряжение смещения в источник возбуждения и пропускает
переменное напряжение возбуждения на базу транзистора.
С
к
L
к
L
бл2
Е
к
U
cos wt
VT1
С
бл2
Е
см
L
бл.1
С
бл1
а
Тр.1
U
cos wt
Е
см
C
бл.1
С
к
бл.1
L
L
к
Е
к
VT1
б
Рис. 2.1. Схема ГВВ с последовательным (а)
и параллельным (б) питанием коллекторной цепи
Емкость создает путь переменной составляющей в схе-
2бл
С
ме (рис. 2.1, а). Емкость (рис. 2.1, а) предотвращает короткое
1бл
С
замыкание через индуктивность в схеме (рис. 2.1, б).
к
L
Схемы, представленные на рис. 2.1, а, 2.1, б, примерно
равноценны. В схеме с последовательным питанием коллек-
12
Емкость Сбл1 (рис. 2.1, а) не пропускает постоянное на-
пряжение смещения в источник возбуждения и пропускает
переменное напряжение возбуждения на базу транзистора.
VT1
Ск Lк
С бл1
U cos wt
L бл.1
С бл2
Е см
L бл2
Ек
а
L бл.1
Cбл.1
Ек
VT1
Т р.1
Ск Lк
Ucos wt
Е см
б
Рис. 2.1. Схема ГВВ с последовательным (а)
и параллельным (б) питанием коллекторной цепи
Емкость Сбл 2 создает путь переменной составляющей в схе-
ме (рис. 2.1, а). Емкость Сбл1 (рис. 2.1, а) предотвращает короткое
замыкание через индуктивность Lк в схеме (рис. 2.1, б).
Схемы, представленные на рис. 2.1, а, 2.1, б, примерно
равноценны. В схеме с последовательным питанием коллек-
12
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 10
- 11
- 12
- 13
- 14
- …
- следующая ›
- последняя »
