Формирование и передача сигналов. Бакеев Д.А - 10 стр.

UptoLike

Составители: 

α
f частота, на которой модуль коэффициента усиления
тока в динамическом режиме α уменьшается в
2
раз по
сравнению со статическим коэффициентом
0
α
(транзистор
включен по схеме с общей базой).
На основании изложенного можно сделать вывод, что
свойства биполярного транзистора очень сильно зависят от
рабочей частоты. Поэтому транзистор является инерционным
элементом, в котором с ростом рабочей частоты ухудшаются
усилительные свойства.
На низких частотах (до частот ) расчет основных пара-
β
f
метров транзисторного генератора с внешним возбуждением
можно проводить по статическим вольт-амперным характери-
стикам (рис. 1.2).
В диапазоне рабочих частот
αβ
fff применяется схе-
ма с общим эмиттером, при этом расчет режима биполярного
транзистора ведется по параметрам эквивалентной схемы.
На рабочих частотах
t
fff
α
биполярный транзистор
включают по схеме с общей базой. Расчет режима биполярно-
го транзистора также ведется по параметрам эквивалентной
схемы.
Выбор транзистора осуществляется по справочной лите-
ратуре для известной рабочей частоты, мощности, допусти-
мой мощности, выделяемой в виде тепла на коллекторе,
а также по конструктивным параметрам. В настоящее время
выпускается достаточно много мощных биполярных транзи-
сторов, способных генерировать высокочастотные колебания
в диапазоне частот )10210(
95
f Гц.
10
    f α – частота, на которой модуль коэффициента усиления
тока в динамическом режиме α уменьшается в         2 раз по
сравнению со статическим коэффициентом α 0 (транзистор
включен по схеме с общей базой).
    На основании изложенного можно сделать вывод, что
свойства биполярного транзистора очень сильно зависят от
рабочей частоты. Поэтому транзистор является инерционным
элементом, в котором с ростом рабочей частоты ухудшаются
усилительные свойства.
    На низких частотах (до частот f β ) расчет основных пара-
метров транзисторного генератора с внешним возбуждением
можно проводить по статическим вольт-амперным характери-
стикам (рис. 1.2).
    В диапазоне рабочих частот f β ≤ f ≤ f α применяется схе-
ма с общим эмиттером, при этом расчет режима биполярного
транзистора ведется по параметрам эквивалентной схемы.
    На рабочих частотах f α ≤ f ≤ f t биполярный транзистор
включают по схеме с общей базой. Расчет режима биполярно-
го транзистора также ведется по параметрам эквивалентной
схемы.
    Выбор транзистора осуществляется по справочной лите-
ратуре для известной рабочей частоты, мощности, допусти-
мой мощности, выделяемой в виде тепла на коллекторе,
а также по конструктивным параметрам. В настоящее время
выпускается достаточно много мощных биполярных транзи-
сторов, способных генерировать высокочастотные колебания
в диапазоне частот (10 5 ≤ f ≤ 2 ⋅ 10 9 ) Гц.




                             10