Составители:
Рубрика:
α
f – частота, на которой модуль коэффициента усиления
тока в динамическом режиме α уменьшается в
2
раз по
сравнению со статическим коэффициентом
0
α
(транзистор
включен по схеме с общей базой).
На основании изложенного можно сделать вывод, что
свойства биполярного транзистора очень сильно зависят от
рабочей частоты. Поэтому транзистор является инерционным
элементом, в котором с ростом рабочей частоты ухудшаются
усилительные свойства.
На низких частотах (до частот ) расчет основных пара-
β
f
метров транзисторного генератора с внешним возбуждением
можно проводить по статическим вольт-амперным характери-
стикам (рис. 1.2).
В диапазоне рабочих частот
αβ
≤
≤
fff применяется схе-
ма с общим эмиттером, при этом расчет режима биполярного
транзистора ведется по параметрам эквивалентной схемы.
На рабочих частотах
t
fff
≤
≤
α
биполярный транзистор
включают по схеме с общей базой. Расчет режима биполярно-
го транзистора также ведется по параметрам эквивалентной
схемы.
Выбор транзистора осуществляется по справочной лите-
ратуре для известной рабочей частоты, мощности, допусти-
мой мощности, выделяемой в виде тепла на коллекторе,
а также по конструктивным параметрам. В настоящее время
выпускается достаточно много мощных биполярных транзи-
сторов, способных генерировать высокочастотные колебания
в диапазоне частот )10210(
95
⋅
≤
≤
f Гц.
10
f α – частота, на которой модуль коэффициента усиления тока в динамическом режиме α уменьшается в 2 раз по сравнению со статическим коэффициентом α 0 (транзистор включен по схеме с общей базой). На основании изложенного можно сделать вывод, что свойства биполярного транзистора очень сильно зависят от рабочей частоты. Поэтому транзистор является инерционным элементом, в котором с ростом рабочей частоты ухудшаются усилительные свойства. На низких частотах (до частот f β ) расчет основных пара- метров транзисторного генератора с внешним возбуждением можно проводить по статическим вольт-амперным характери- стикам (рис. 1.2). В диапазоне рабочих частот f β ≤ f ≤ f α применяется схе- ма с общим эмиттером, при этом расчет режима биполярного транзистора ведется по параметрам эквивалентной схемы. На рабочих частотах f α ≤ f ≤ f t биполярный транзистор включают по схеме с общей базой. Расчет режима биполярно- го транзистора также ведется по параметрам эквивалентной схемы. Выбор транзистора осуществляется по справочной лите- ратуре для известной рабочей частоты, мощности, допусти- мой мощности, выделяемой в виде тепла на коллекторе, а также по конструктивным параметрам. В настоящее время выпускается достаточно много мощных биполярных транзи- сторов, способных генерировать высокочастотные колебания в диапазоне частот (10 5 ≤ f ≤ 2 ⋅ 10 9 ) Гц. 10
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 8
- 9
- 10
- 11
- 12
- …
- следующая ›
- последняя »