Формирование и передача сигналов. Бакеев Д.А - 8 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

КамчатГТУ | Петропавловск-Камчатский

Составители: 

Рубрика: 

Основные показатели биполярного транзистора, характе-
ризующие его работу в ГВВ, являются параметрами эквива-
лентной схемы транзистора:
б
r , , – сопротивления тела базы, эмиттера, коллектора;
э
r
к
r
б
L , , – индуктивности ввода базы, эмиттера, коллектора;
э
L
к
L
−
диф
С диффузионная емкость эмиттерного перехода;
−
б
С барьерная емкость эмиттерного перехода;
−
ка
С барьерная емкость активной части коллекторного
перехода;
−
кп
С
барьерная емкость пассивной части коллекторного
перехода;
−
β
R сопротивление рекомбинации неосновных носите-
лей в базовой области;
0б
0к
I
I
В =
– статический коэффициент усиления тока тран-
зистора, где – постоянный ток коллектора, – постоян-
0к
I
0б
I
ный ток базы;
1б
1к
I
I
&
&
&
=β – коэффициент усиления тока в динамическом
режиме, где – комплексная амплитуда первой гармоники
1к
I
&
тока коллектора, – комплексная амплитуда первой гармо-
1б
I
&
ники тока базы;
0э
0к
α
I
I
=
– статический коэффициент передачи тока тран-
зистора;
1э
1к
α
I
I
&
&
&
=
– коэффициент передачи тока в динамическом
режиме.
На рис. 1.2 приведены статические вольт-амперные ха-
рактеристики транзистора.
8
    Основные показатели биполярного транзистора, характе-
ризующие его работу в ГВВ, являются параметрами эквива-
лентной схемы транзистора:
    rб , rэ , rк – сопротивления тела базы, эмиттера, коллектора;
    Lб , Lэ , Lк – индуктивности ввода базы, эмиттера, коллектора;
    С диф − диффузионная емкость эмиттерного перехода;
    Сб − барьерная емкость эмиттерного перехода;
    Ска − барьерная емкость активной части коллекторного
перехода;
    Скп − барьерная емкость пассивной части коллекторного
перехода;
     Rβ − сопротивление рекомбинации неосновных носите-
лей в базовой области;
          I
     В = к 0 – статический коэффициент усиления тока тран-
          I б0
зистора, где I к 0 – постоянный ток коллектора, I б 0 – постоян-
ный ток базы;
         I&
    β& = к1 – коэффициент усиления тока в динамическом
         I&б1
режиме, где I& – комплексная амплитуда первой гармоники
               к1

тока коллектора, I&б1 – комплексная амплитуда первой гармо-
ники тока базы;
         I
    α = к 0 – статический коэффициент передачи тока тран-
         I э0
зистора;
         I&
    α& = к1 – коэффициент передачи тока в динамическом
         I&э1
режиме.
    На рис. 1.2 приведены статические вольт-амперные ха-
рактеристики транзистора.



                                8

Страницы