Формирование и передача сигналов. Бакеев Д.А - 7 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

КамчатГТУ | Петропавловск-Камчатский

Составители: 

Рубрика: 

Преобразование энергии источников постоянного напря-
жения в энергию высокочастотных колебаний характеризует-
ся численными величинами основных показателей ГВВ, кото-
рые позволяют оценить качество преобразования и сравнить
различные ГВВ.
К энергетическим показателям транзисторного ГВВ отно-
сятся следующие:
к1к1
2
1
UIР = – колебательная мощность на выходе ГВВ
(мощность высокочастотных колебаний), где – амплитуда
коллекторного тока первой гармоники транзистора, – ампли-
туда колебательного напряжения на коллекторе транзистора;
1к
I
к
U
к0к0
ЕIР =
0к
I
– мощность, потребляемая от источника пита-
ния, где – постоянная составляющая коллекторного тока,
– напряжение источника коллекторного питания;
к
Е
−=ξ
к
к
E
U
коэффициент использования коллекторного на-
пряжения;
0
1
Р
Р
=η
– коэффициент полезного действия ГВВ;
10к
РРР
−
= – мощность, выделяемая в виде тепла на кол-
лекторе транзистора;
б1бб
2
1
UIР = – мощность возбуждения ГВВ, где – ам-
плитуда базового тока первой гармоники транзистора, –
амплитуда напряжения возбуждения базы транзистора;
1б
I
б
U
см0б0б
ЕIР =
I
см
Е
– мощность, потребляемая от источника
смещения, где – постоянная составляющая базового тока
транзистора, – напряжение смещения;
0б
поб
Р – мощность побочных излучений на выходе ГВВ, ко-
торый является оконечным каскадом радиопередатчика;
fΔ –ширина полосы пропускания ГВВ.
7
     Преобразование энергии источников постоянного напря-
жения в энергию высокочастотных колебаний характеризует-
ся численными величинами основных показателей ГВВ, кото-
рые позволяют оценить качество преобразования и сравнить
различные ГВВ.
     К энергетическим показателям транзисторного ГВВ отно-
сятся следующие:
           1
     Р1 = I к1U к – колебательная мощность на выходе ГВВ
           2
(мощность высокочастотных колебаний), где I к1 – амплитуда
коллекторного тока первой гармоники транзистора, U к – ампли-
туда колебательного напряжения на коллекторе транзистора;
     Р0 = I к 0 Ек – мощность, потребляемая от источника пита-
ния, где I к 0 – постоянная составляющая коллекторного тока,
 Ек – напряжение источника коллекторного питания;
          U
     ξ = к − коэффициент использования коллекторного на-
          Eк
пряжения;
          Р
     η = 1 – коэффициент полезного действия ГВВ;
          Р0
     Рк = Р0 − Р1 – мощность, выделяемая в виде тепла на кол-
лекторе транзистора;
           1
     Рб = I б1U б – мощность возбуждения ГВВ, где I б1 – ам-
           2
плитуда базового тока первой гармоники транзистора, U б –
амплитуда напряжения возбуждения базы транзистора;
     Рб 0 = I б 0 Есм – мощность, потребляемая от источника
смещения, где I б 0 – постоянная составляющая базового тока
транзистора, Есм – напряжение смещения;
     Рпоб – мощность побочных излучений на выходе ГВВ, ко-
торый является оконечным каскадом радиопередатчика;
     Δf –ширина полосы пропускания ГВВ.

                              7

Страницы