Формирование и передача сигналов. Бакеев Д.А - 16 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

КамчатГТУ | Петропавловск-Камчатский

Составители: 

Рубрика: 

В классе С угол отсечки °
<
90θ , поэтому исходное по-
ложение рабочей точки на статической выходной характери-
стике выбирается справа от начала нагрузочной прямой. На
рис. 2.5 представлены диаграммы токов и напряжений, по-
строенные на статической выходной вольт-амперной характе-
ристике транзистора для класса С.
Рис. 2.5. Диаграммы токов и напряжений для класса С
При возбуждении транзистора ГВВ гармоническим током
заряд накопленных в базе инжектированных из эмиттера неос-
новных носителей также изменяется по гармоническому закону.
На рис. 2.6 представлена кулон-амперная характеристика тран-
зистора, аппроксимированная двумя прямыми линиями.
При выполнении построений учитывалось, что
отсэотс
UCq =
, где – заряд, накопленный в базе транзисто-
отс
q
ра, соответствующий напряжению ; – суммарная ем-
отс
U
э
C
кость эмиттерного n
р
−
перехода;
−
отс
U напряжение на базе
транзистора, при котором переход эмиттер – база начинает
отпираться (7,0
отс
=
U В для кремниевых транзисторов).
Постоянная составляющая заряда на суммарной емкости
эмиттерного
n
р
−
перехода определяется как
0эпэ0y
UCQ
=
,
16
    В классе С угол отсечки θ < 90° , поэтому исходное по-
ложение рабочей точки на статической выходной характери-
стике выбирается справа от начала нагрузочной прямой. На
рис. 2.5 представлены диаграммы токов и напряжений, по-
строенные на статической выходной вольт-амперной характе-
ристике транзистора для класса С.




        Рис. 2.5. Диаграммы токов и напряжений для класса С

     При возбуждении транзистора ГВВ гармоническим током
заряд накопленных в базе инжектированных из эмиттера неос-
новных носителей также изменяется по гармоническому закону.
На рис. 2.6 представлена кулон-амперная характеристика тран-
зистора, аппроксимированная двумя прямыми линиями.
     При выполнении построений учитывалось, что
qотс = CэU отс , где qотс – заряд, накопленный в базе транзисто-
ра, соответствующий напряжению U отс ; Cэ – суммарная ем-
кость эмиттерного р − n перехода; U отс − напряжение на базе
транзистора, при котором переход эмиттер – база начинает
отпираться ( U отс = 0,7 В для кремниевых транзисторов).
     Постоянная составляющая заряда на суммарной емкости
эмиттерного р − n перехода определяется как
                             Qy 0 = C эU эп 0 ,
                                16

Страницы