Формирование и передача сигналов. Бакеев Д.А - 17 стр.

где U эп 0 – постоянная составляющая напряжения на эмиттер-
ном переходе.
     Для расчета крутизны наклонной части входной характе-
ристики U эп применяется формула
                             dU эп   1
                          S=       =    .
                              dq y   Сэ
     На основе приведенных соотношений может быть построена
входная кулон-вольтовая характеристика транзистора (зависи-
мость напряжения на эмиттерном переходе от накопленного заря-
да в базе представлена в нижней части рис. 2.6). С помощью этой
характеристики можно определить зависимость напряжения на
базе транзистора от времени. Проведенные построения показы-
вают, что угол отсечки напряжения на базе составляет (π − θ) .




        Рис. 2.6. Эпюры токов и напряжений базы транзистора

    Таким образом, при возбуждении ГВВ гармоническим током
форма напряжения на базе является гармонической с отсечкой,
при этом угол отсечки равен ( π − θ) . Это позволяет легко рассчи-
тывать постоянную составляющую, первую гармонику напряже-
ния на базе аналогично тому, как это делается при расчете посто-
янной составляющей и первой гармоники коллекторного тока.
                               17