Формирование и передача сигналов. Бакеев Д.А - 30 стр.

UptoLike

Составители: 

На рис. 5.3 приведена схема
эмиттерной коррекции. Эмиттер-
а при
зкор
R
ная эф-
фек
коррекция, как и базовая,
тивн R
<
. При рас-
чете х параметров корректирующи
сопротивление коррекции:
цепочек эмиттерной коррекции
аналогично можно определить
β
б
кор
1
1
5
f
f
В
r
R +
+
= .
Отметим, рименение
корректирующих цепочек позво-
ляет восстановить косинусои-
дальную форму импульсов кол-
лекторного тока транзистора.
Пример. Рассчитать
что п
элемен-
ты базовой коррекции, если известны сопротивлени тела базы
Ом, средний коэффициент усиления транзистора
е
2
б
=r 20
=
В ,
ая частота рабоч
8
10
=
f
с общ
Гц,
ора в схеме
предельная частота работы
им эмиттером
8
102,1транзист
=
t
f Гц, барь-
ттербаза
1200
э
ерная емкость перехода эми
=
С пФ.
Решение
8
8
β
β
107,2
102,128,6
20
2ω
1
τ
=
π
==
t
f
B
с;
7
107,3
1
==
β
β
τ
f Гц;
2,197,211015
2
f
б
=+=
+=
β
f
rR Ом;
кор
4,1104,1
2,19
107,2
9
8
кор
кор
==
==
β
R
τ
C нФ;
Рис. 5.3. Схема эмиттерной
коррекции
VT1
Rкор
R3
К
C1
Э
Б
30
                    К
                                     На рис. 5.3 приведена схема
                                 эмиттерной коррекции. Эмиттер-
                                 ная коррекция, как и базовая, эф-
                                 фективна при Rкор < Rз . При рас-
Б                       VT1
                                 чете параметров корректирующих
           R3                    цепочек эмиттерной коррекции
                                 аналогично можно определить
                                 сопротивление коррекции:
                        C1
          Rкор                               5r     f
                                      Rкор = б 1 +     .
                                            1+ В    fβ
                                Отметим, что применение
                            корректирующих цепочек позво-
                     Э
                            ляет восстановить косинусои-
 Рис. 5.3. Схема эмиттерной дальную форму импульсов кол-
           коррекции        лекторного тока транзистора.
                                Пример. Рассчитать элемен-
ты базовой коррекции, если известны сопротивление тела базы
rб = 2 Ом, средний коэффициент усиления транзистора В = 20 ,
рабочая частота f = 108 Гц, предельная частота работы
транзистора в схеме с общим эмиттером f t = 1,2 ⋅ 108 Гц, барь-
ерная емкость перехода эмиттер – база Сэ = 1200 пФ.

    Решение
                 1    B            20
          τβ =     =        =                 ≈ 2,7 ⋅ 10 −8 с;
                 ωβ 2π ⋅ f t 6,28 ⋅ 1,2 ⋅ 108
                                1
                         fβ =      = 3,7 ⋅ 10 7 Гц;
                                τβ
                                   2
                        ⎛       ⎞
         Rкор = 5rб 1 + ⎜ f ⎟ = 10 1 + 2,7 = 19,2 Ом;
                        ⎝ fβ ⎠
                    τ     2,7 ⋅ 10 −8
           Cкор = β =                 = 1,4 ⋅ 10 −9 = 1,4 нФ;
                   Rкор     19,2



                                       30