Формирование и передача сигналов. Бакеев Д.А - 29 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

КамчатГТУ | Петропавловск-Камчатский

Составители: 

Рубрика: 

R кор
+
С кор
Э
К
Б
VT1
R3
Рис. 5.2. Схема базовой коррекции
Очевидно, что модуль сопротивления корректирующей це-
пи много больше, чем сопротивление тела базы транзистора
б
r :
б
2
1
2
1
2
1
1
1
r
CR
R
Z >
ω+
=
.
б1
5rZ
=
,
β
τCRτ =
=
111
, Из условий
β
β
=
τ
f
1
можно вывес-
ти значение сопротивления коррекции:
β
+==
f
rRR 15 .
f
б1кор
Емкость перехода эмиттер – база принимает различные
значения при открытом и закрытом состояниях этого перехо-
да. остоян это диффузионная е
да, а в закрытом – барьерная емкость, которая примерно на
ти. Для уменьшения
влияния емкости перехода эмиттер – база переходные про-
цессы в базовой области включают параллельно переходу ба-
за – я
В открытом с ии мкость перехо-
порядок меньше диффузионной емкос
на
эмиттер резистор
з
R . Величина сопротивлени этого ре-
зистора определяется как
э
з
С
τ
R
β
= , где
э
С – барьерная
емкость.
Отметим, что базовая коррекция эффективна при условии
экор
RR < .
29
                                                     К


                         R кор                           VT1


             Б           С кор

                         +

                                         R3




                                                     Э


                  Рис. 5.2. Схема базовой коррекции

    Очевидно, что модуль сопротивления корректирующей це-
пи много больше, чем сопротивление тела базы транзистора rб :
                             R1
                    Z1 =                > rб .
                         1 + ω2 R12 C12
                                                         1
    Из условий Z1 = 5rб , τ1 = R1C1 = τ β , f β =           можно вывес-
                                                         τβ
ти значение сопротивления коррекции:
                                              f
                      Rкор = R1 = 5rб 1 +        .
                                              fβ
     Емкость перехода эмиттер – база принимает различные
значения при открытом и закрытом состояниях этого перехо-
да. В открытом состоянии это диффузионная емкость перехо-
да, а в закрытом – барьерная емкость, которая примерно на
порядок меньше диффузионной емкости. Для уменьшения
влияния емкости перехода эмиттер – база на переходные про-
цессы в базовой области включают параллельно переходу ба-
за – эмиттер резистор Rз . Величина сопротивления этого ре-
                                 τ
зистора определяется как Rз = β , где Сэ – барьерная
                                 Сэ
емкость.
     Отметим, что базовая коррекция эффективна при условии
Rкор < Rэ .

                                 29

Страницы