Формирование и передача сигналов. Бакеев Д.А - 27 стр.

         В1= б1         к1    э1 U эп1

                   а)

    с1        б1              э1                 Urб1                   Uб1




             В1          к1    Uэп1                          к1 U эп1
                   б)                                   в)

     Рис. 4.3. Векторные диаграммы в базовой цепи транзистора:
    для тока при S < Sβ (а); для тока (б) и напряжения (в) при S > Sβ

    Длительность переходных процессов при отпирании и за-
пирании эмиттерного перехода различная. Это приводит к
тому, что при работе транзистора с отсечкой коллекторного
тока форма импульса коллекторного тока iк отличается от
косинусоидальной. Кроме того, ток отстает от напряжения.
Применение цепей коррекции позволяет на повышенных час-
тотах получить в коллекторной цепи импульс коллекторного
тока, форма которого практически не отличается от косину-
соидальной. Это позволяет применить методику расчета ре-
жима транзистора по переходной характеристике.

   5. Коррекция частотных характеристик транзистора
    Ослабить зависимость параметров транзистора от часто-
ты позволяет частотная коррекция. При коррекции к транзи-
стору подключают дополнительные элементы, позволяющие
уменьшить влияние частотно-зависимых параметров транзи-
стора. Рассмотрим электрическую схему (рис. 5.1), где рези-
стор R2 – эквивалентное входное сопротивление транзистора;
С2 – эквивалентная входная емкость транзистора; R1 , C1 –
дополнительные корректирующие элементы для улучшения
частотных свойств транзистора. Найдем коэффициент пере-
дачи цепи (рис. 5.1):
                         U        Z2
                      К = вых =          ,
                         U вх   Z1 + Z 2

                                      27