Формирование и передача сигналов. Бакеев Д.А - 26 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

КамчатГТУ | Петропавловск-Камчатский

Составители: 

Рубрика: 

ная схема биполярного транзистора на низких частотах будет
иметь вид, изображенный на рис. 4.2.
R
В
R
б
Rк
Iк (Uэ-к)
Iк
Iб
Uб-э
I
э
Рис. 4.2. Эквивалентная схема биполярного транзистора
на низких частотах
(
)
β
ff > На повышенных частотах проявляется инерци-
онность транзистора. Это конечным временем объясняется
пролета носителей заряда
t
τ через базу.
При ет ток открытом эмиттерном переходе через него теч
ωtIi cos
1э
= . Тогда то тает по фазе на фазо-к коллектора отс
э
вый ит от частоты угол
tк
который завис ω :
tω=ϕ
,
=
−
=
)(ωcos
1кк t
ttIi )ωcos(
к1к
ϕ
−
tI .
На ри . 4.3 представлены векторные с диаграммы для токов
и напряжений в базовой цепи, построенные согласно услови-
бкэ
iii +=
ям ,
ббэб
riuu
+
=
. Из этих диаграмм следует, что
с ростом в результате прохождения тока частоты через диф-
фу го перехода происходит увеличе-зионную емкость базово
ние ия на базе базового тока
1б
I и напряжен
1б
U .
Из векторных диаграмм следует, что на повышенных час-
тотах зависимость
к
i и
б
u не определяется статической пере-
ходн те анзистора – она зависит от частоты. ой харак ристикой тр
Поэтому расчет режима транзистора на повышенных частотах
необходимо проводить, используя эквивалентную схему.
26
ная схема биполярного транзистора на низких частотах будет
иметь вид, изображенный на рис. 4.2.

                  Rб                                    Rк
      Iб                                                            Iк


                            RВ                          Iк (Uэ-к)

     Uб-э




                                       Iэ

           Рис. 4.2. Эквивалентная схема биполярного транзистора
                              на низких частотах

    На повышенных частотах                  (f > f )
                                                  β    проявляется инерци-
онность транзистора. Это объясняется конечным временем
пролета τ t носителей заряда через базу.
     При открытом эмиттерном переходе через него течет ток
iэ = I э1 cos ωt . Тогда ток коллектора отстает по фазе на фазо-
вый угол ϕк = ωtt , который зависит от частоты ω :
                 iк = I к1 cos ω(t − tt ) = I к1 cos(ωt − ϕк ) .
    На рис. 4.3 представлены векторные диаграммы для токов
и напряжений в базовой цепи, построенные согласно услови-
ям iэ = iк + iб , uб = u э + iб r б . Из этих диаграмм следует, что
с ростом частоты в результате прохождения тока через диф-
фузионную емкость базового перехода происходит увеличе-
ние базового тока I б1 и напряжения на базе U б1 .
    Из векторных диаграмм следует, что на повышенных час-
тотах зависимость iк и u б не определяется статической пере-
ходной характеристикой транзистора – она зависит от частоты.
Поэтому расчет режима транзистора на повышенных частотах
необходимо проводить, используя эквивалентную схему.
                                      26

Страницы