Формирование и передача сигналов. Бакеев Д.А - 24 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

КамчатГТУ | Петропавловск-Камчатский

Составители: 

Рубрика: 

Lб Lк
L
э
Э
r
б
r
к
r
э
С
диф
R
B
к
Скп
Ска
к
К
б
Б
(Uэп)
Сэ
Э
Рис. 4.1. Эквивалентная схема биполярного транзистора
При анализе ГВВ на биполярном транзисторе используют
параметры эквивалентной схемы ,
коэффициенты передачи метры
ческих вольт-амперных характеристик и граничные частоты.
ас ивают
граничными
эф иц нт
б
r ,
э
r ,
тока
к
r
,
б
L ,
пар
э
L ,
а
к
L ,
диф
C
стати-
э
C ,
ка
C ,
кп
C ,
Ч тотные свойства биполярного транзистора оцен
частотами.
Для схемы с общим эмиттером на частоте
f модуль ко-
ф ие а усиления тока в динамическом режиме
β
β
&
уменьшается в
2 раз по сравнению со статическим коэффи-
циентом усиления
0
β
.
На частоте
f (пред
t
ельной частоте работы в
е с общим эмиттером) модуль коэффициента усиления
тока в динамическом режиме
транзистора
схем
β
&
1.
На частоте
α
модуль коэффициента передачи тока в ди-
намическом режим
=
е
f
уменьшается в 2 α
&
раз по сравнению
со статическим к ффициентом
0
оэ
α
для схемы с общей базой.
Взаимосвязь граничных частот определяется как
βα
+= fff
t
.
24
                                      Скп

               Lб      rб             Ска   rк        Lк
     Б   б                                                  к
                                                                 К


                     RB
                                            к (Uэп)
                              Сдиф Сэ


                                 Э



                                 rэ


                              Lэ


                             Э

         Рис. 4.1. Эквивалентная схема биполярного транзистора

    При анализе ГВВ на биполярном транзисторе используют
параметры эквивалентной схемы rб , rэ , rк Lб , Lэ , Lк , C диф ,
Cэ , Cка , Cкп , коэффициенты передачи тока, параметры стати-
ческих вольт-амперных характеристик и граничные частоты.
     Частотные свойства биполярного транзистора оценивают
граничными частотами.
     Для схемы с общим эмиттером на частоте f β модуль ко-
эффициента усиления тока в динамическом режиме                       β&
уменьшается в 2 раз по сравнению со статическим коэффи-
циентом усиления β 0 .
    На частоте f t (предельной частоте работы транзистора в
схеме с общим эмиттером) модуль коэффициента усиления
тока в динамическом режиме β& = 1.
    На частоте f α модуль коэффициента передачи тока в ди-
намическом режиме α& уменьшается в               2 раз по сравнению
со статическим коэффициентом α 0 для схемы с общей базой.
      Взаимосвязь граничных частот определяется как
 f α = f t + fβ .
                                      24

Страницы