Формирование и передача сигналов. Бакеев Д.А - 25 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

КамчатГТУ | Петропавловск-Камчатский

Составители: 

Рубрика: 

При включении транзистора по схеме с общим эмиттером
различают
0б
0к
0
I
I
=β – татический коэффициент усиления тока с
(при и постоянных токах базы и коллектора)
1б
1к
I
&
&
&
=β – коэффици-
I
ент усиления тока в динамическом режиме (
1б1к
, II
&&
– комплекс-
ные амплит ой гармоники токов коллектора и базы). уды перв
Средний коэффициент усиления тока (
β
f
шинства транзисторов 30...15
f
В
t
= ) для боль-
=
В .
Крутизна входной статической характеристики определя-
ется выражением
бэ
б
вх
du
di
S
= ; крутизна статической переход-
ной характеристики – формулой
бэ
к
вх
du
di
S
= . Взаимосвязь этих
параметров можно выразить как
вх
ВSS =
.
Необходимо отметить высокие частоты по-разному, что
влияют на маломо ощные биполярные транзисторы. щные и м
Это объясняется тем, что маломощные транзисторы имеют
достаточно высокую действитель ь входного сопро-ную част
тивления, вследствие чего можно считать, что маломощный
транзистор возбуждается гармони наческим пряжением.
Биполярные транзисторы большой мощности изготавлива-
ют в виде многоэмиттерных структур, поэтому входное сопро-
тивление таких транзисторов в схеме с общим эмиттером – низ-
кое (при параллельном соединении нескольких резисторов их
общее сопротивление меньше сопротивления любого резисто-
ра). Можно считать, что такой транзистор возбуждается гармо-
ническим током.
Для маломощного биполярного транзистора на низких
частотах можно пренебречь влиянием индуктивностей вводов
б
L ,
э
L ,
к
L из-за их малости. Также можно пренебречь емко-
стным сопротивлением емкостей
диф
C ,
э
C
,
ка
C
,
кп
C
ввиду их
большого значения на низких частотах. Поэтому эквивалент-
25
    При включении транзистора по схеме с общим эмиттером
               I
различают β 0 = к 0 – статический коэффициент усиления тока
               I б0
                                               I&
(при постоянных токах базы и коллектора) и β& = к1 – коэффици-
                                               I&б1

ент усиления тока в динамическом режиме ( I&к1 , I&б1 – комплекс-
ные амплитуды первой гармоники токов коллектора и базы).
                                                    f
    Средний коэффициент усиления тока ( В = t ) для боль-
                                                    fβ
шинства транзисторов В = 15 ... 30 .
     Крутизна входной статической характеристики определя-
                         di
ется выражением S вх = б ; крутизна статической переход-
                         du бэ
                                       di
ной характеристики – формулой S вх = к . Взаимосвязь этих
                                      du бэ
параметров можно выразить как S = ВS вх .
     Необходимо отметить, что высокие частоты по-разному
влияют на маломощные и мощные биполярные транзисторы.
Это объясняется тем, что маломощные транзисторы имеют
достаточно высокую действительную часть входного сопро-
тивления, вследствие чего можно считать, что маломощный
транзистор возбуждается гармоническим напряжением.
     Биполярные транзисторы большой мощности изготавлива-
ют в виде многоэмиттерных структур, поэтому входное сопро-
тивление таких транзисторов в схеме с общим эмиттером – низ-
кое (при параллельном соединении нескольких резисторов их
общее сопротивление меньше сопротивления любого резисто-
ра). Можно считать, что такой транзистор возбуждается гармо-
ническим током.
     Для маломощного биполярного транзистора на низких
частотах можно пренебречь влиянием индуктивностей вводов
Lб , Lэ , Lк из-за их малости. Также можно пренебречь емко-
стным сопротивлением емкостей C диф , Cэ , Cка , Cкп ввиду их
большого значения на низких частотах. Поэтому эквивалент-
                               25

Страницы