Формирование и передача сигналов. Бакеев Д.А - 23 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

КамчатГТУ | Петропавловск-Камчатский

Составители: 

Рубрика: 

2
θ
π
=
н
к
1к
4
R
E
I
π
=
. При
Напряжение первой гармоники находится так:
π
=⋅=
∫
к
к1к
4
ωcos2
2
2
1
E
dttE
T
U
t
t
.
Коэффициент полезного действия ключевого ГВВ вычис-
ляется по формуле
0
1
Р
Р
=η
=
81,0
85,0
2
к0к
1к1к
≈
π
=
⋅
EI
UI
.
4. Биполярный транзистор в генераторе
с внешним возбуждением
В эквивалентной схеме биполярного транзистора
(рис. 4.1) свойства транзистора как активного элемента учте-
ны генер щего от атором коллекторного тока )(
эпк
UI , завися
мгновенного нап еходе Со-ряжения на эмиттерном пер
эп
U .
про л т хтив ения
б
r
,
э
r
,
к
r
учитываю потери в тела базы, эмит-
тера, коллектора; индуктивности вводов транзистора учиты-
ваются индуктивностями
б
L ,
э
L ,
к
L сопротивление ;
β
R –
рекомбинации;
диф
C ,
э
C
– диффузионная и барьерная кости ем
эмиттерного перехода;
ка
C – барьерная емкость активной час-
ти коллекторного перехода;
кп
C – барьерная емкость пассив-
ной части коллекторного п ехо . ер да
Из схемы сл уе что частотные свойства транзистора ед т,
зависят от реактивных ментов (индуктивности вводов
б
L , эле
э
L
,
к
L
и емкостей
диф
C ,
э
C
,
C
кп
C
).
ка
,
23
              π       4E
    При θ =     I к1 = к .
              2       πRн
    Напряжение первой гармоники находится так:
                            t
                          2 2                    4E
                 U к1 =     ∫
                          T t1
                               2 Eк cos ωt ⋅ dt = к .
                                                  π

    Коэффициент полезного действия ключевого ГВВ вычис-
ляется по формуле

                      Р1 0,5 ⋅ I к1U к1 8
                 η=      =             = 2 ≈ 0,81 .
                      Р0    I к 0 Eк    π



         4. Биполярный транзистор в генераторе
                с внешним возбуждением

      В эквивалентной схеме биполярного транзистора
(рис. 4.1) свойства транзистора как активного элемента учте-
ны генератором коллекторного тока I к (U эп ) , зависящего от
мгновенного напряжения на эмиттерном переходе U эп . Со-
противления rб , rэ , rк учитывают потери в телах базы, эмит-
тера, коллектора; индуктивности вводов транзистора учиты-
ваются индуктивностями Lб , Lэ , Lк ; R β – сопротивление
рекомбинации; C диф , Cэ – диффузионная и барьерная емкости
эмиттерного перехода; Cка – барьерная емкость активной час-
ти коллекторного перехода; Cкп – барьерная емкость пассив-
ной части коллекторного перехода.
      Из схемы следует, что частотные свойства транзистора
зависят от реактивных элементов (индуктивности вводов Lб ,
 Lэ , Lк и емкостей C диф , Cэ , Cка , Cкп ).


                                  23

Страницы