Формирование и передача сигналов. Бакеев Д.А - 52 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

КамчатГТУ | Петропавловск-Камчатский

Составители: 

Рубрика: 

VT1
R1
C1
R2
R3
VT2
C2
R4
TV1
R5
C3
C4
Др1
C5
C6
Др2
C7
ФНЧL1
L2 К
С
C8
C9
L5
ФВЧ
C10
Баластный
C11
L3
L6
L4
R8
57 В
24 В
Измери-
тель ный
R6
57 В при 100% Р
24 В при 25% Р
R7
Рис. сторов
Кажущееся сопротивление нагрузки для каждого транзи-
стора определяется по формулам
11.1. Схема ГВВ при параллельном включении двух транзи
⎟
⎟
⎠
⎞
⎜
⎜
⎝
⎛
+==
)1(
1к
)2(
1к
к
)1(
1к
к
)1(
экв
1
I
I
R
I
U
Z
,
⎟
⎟
⎠
⎞
⎜
⎜
⎝
⎛
+==
)2(
1к
)1(
1к
)2(
1к
к
)2(
экв
1
I
I
R
I
U
Z
k
.
При равенстве токов кажущееся сопротивление
нагрузки для каждого из
)1(
1к
I =
)2(
1к
I
транзисторов
кэквэкв
2RRZ
=
=
.
Если один из транзисторов заперт, то для другого кажу-
щееся сопротивление
кэкв
RR
=
.
Если токи транзисторов отличаются, то они будут на-
груж на различные комплексные сопротивления даже п
на о
транзисторы -
ност
ены ри
строенном в резонанс контуре. Это приведет к тому, чт
будут отдавать разную колебательную мощ
ь, на них будет выделяться разная мощность потерь в ви-
де тепловых потерь, один из транзисторов будет нагреваться
52
               R1                                                L1 ФНЧ L2           КС

                     VT1
                                                                                     C9
                                                                           C8
                                   C4          C6                                    L5
  T V1         R2                   Др1
                        C1



                      VT2                                                       L6
                R3
                                                                                L4     R8
                                                                      L3
                                   C5          C7
               R4                       Др2                     C10   C11
                        C2

               R5                                                 ФВЧ      Баластный
                                  Измери-
                                  тельный           R6     R7
               C3
                                        57 В              57 В при 100% Р
                                        24 В              24 В при 25% Р




  Рис. 11.1. Схема ГВВ при параллельном включении двух транзисторов

    Кажущееся сопротивление нагрузки для каждого транзи-
стора определяется по формулам
                               Uк           ⎛ I к(12 ) ⎞
                     Z экв
                       (1)
                           =           = R  ⎜⎜1 +          ⎟,
                                                  I к(11) ⎟⎠
                                          к
                               I к(11)       ⎝

                               Uк            ⎛    I (1) ⎞
                     Z экв
                       (2)
                           =            = Rk
                                             ⎜⎜1 + к1 ⎟⎟ .
                               I к(12 )       ⎝ I к1 ⎠
                                                    ( 2)



    При равенстве токов I к(11) = I к(12 ) кажущееся сопротивление
нагрузки для каждого из транзисторов Z экв = Rэкв = 2 Rк .
    Если один из транзисторов заперт, то для другого кажу-
щееся сопротивление Rэкв = Rк .
    Если токи транзисторов отличаются, то они будут на-
гружены на различные комплексные сопротивления даже при
настроенном в резонанс контуре. Это приведет к тому, что
транзисторы будут отдавать разную колебательную мощ-
ность, на них будет выделяться разная мощность потерь в ви-
де тепловых потерь, один из транзисторов будет нагреваться

                                        52

Страницы