Формирование и передача сигналов. Бакеев Д.А - 53 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

КамчатГТУ | Петропавловск-Камчатский

Составители: 

Рубрика: 

больше, чем другой. Ожидаемого увеличения мощности при
этом не произойдет. Поэтому при параллельном включении
транзисторов необходимо обеспечить синфазность и равенст-
во коллекторных токов транзисторов. Для этого требуется,
чтобы транзисторы имели одинаковые параметры. При этом
режим по постоянному току подбирается индивидуально для
каж кл ен
при ес
и эмиттеры транзисто-
ров
ждуэлектродные емкости параллельно
вкл
дого из параллельно в юч ных транзисторов. Поэтому
параллельном включении н кольких транзисторов непо-
средственно соединяются коллекторы
. Базы соединяются только по переменному току.
Отметим, что ме
юченных транзисторов складываются, что ухудшает час-
тотные свойства ГВВ и может привести к его паразитному
самовозбуждению.
Двухтактное включение транзисторов в ГВВ применяют
для получения симметричного выхода, увеличения выходной
мощности, уменьшения побочных излучений (рис. 11.2).
Двухтактный ГВВ – это объединение двух обычных ГВВ,
имеющих общую нагрузку. Напряжения на базы транзисторов
подаются со сдвигом по фазе на °180 .
R1
R2
VT1
VT2
R3
R4
C1
C2
Ек
C3
C5
C6
R
5
ТV1
TV3
TV2
С4
Рис. 11.2. Схема ГВВ при двухтактном включении транзисторов
Ток транзисторов представляет собой последовательность
косинусоидальных импульсов с отсечкой и может быть пред-
ставлен в виде ряда Фурье:
53
больше, чем другой. Ожидаемого увеличения мощности при
этом не произойдет. Поэтому при параллельном включении
транзисторов необходимо обеспечить синфазность и равенст-
во коллекторных токов транзисторов. Для этого требуется,
чтобы транзисторы имели одинаковые параметры. При этом
режим по постоянному току подбирается индивидуально для
каждого из параллельно включенных транзисторов. Поэтому
при параллельном включении нескольких транзисторов непо-
средственно соединяются коллекторы и эмиттеры транзисто-
ров. Базы соединяются только по переменному току.
    Отметим, что междуэлектродные емкости параллельно
включенных транзисторов складываются, что ухудшает час-
тотные свойства ГВВ и может привести к его паразитному
самовозбуждению.
    Двухтактное включение транзисторов в ГВВ применяют
для получения симметричного выхода, увеличения выходной
мощности, уменьшения побочных излучений (рис. 11.2).
Двухтактный ГВВ – это объединение двух обычных ГВВ,
имеющих общую нагрузку. Напряжения на базы транзисторов
подаются со сдвигом по фазе на 180° .
                        R1
                                                    C5


                             VT1
              C1
                                             C3

                   R2
                                             T V2
       Т V1                                              T V3   R5
                              Ек



                   R4        VT2
              C2                        С4


                                                    C6
                        R3




    Рис. 11.2. Схема ГВВ при двухтактном включении транзисторов

    Ток транзисторов представляет собой последовательность
косинусоидальных импульсов с отсечкой и может быть пред-
ставлен в виде ряда Фурье:
                                   53

Страницы