Формирование и передача сигналов. Бакеев Д.А - 55 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

КамчатГТУ | Петропавловск-Камчатский

Составители: 

Рубрика: 

сторы отличаются по параметрам). При настроенном и сим-
метричном контуре в цепи коллекторов токи
≠
)1(
1к
I
)2(
1к
I . Ток в
контуре можно определить из выражения
=
+
=
+
=
)2(
1кн
)1(
1кн
)2(
конт
)1(
контконт
5,05,0 IQIQIII
(
)
)2()1(
1кн
5,0 IIQ
+
,
1к
где – добротность нагруженного контура. При этом учте-
но, коэффициент
н
Q
что
транзистора
связи контура с коллектором каждого
равен
. 05,
Напряжения на коллекторах транзисторов равны, если
плечи двухтактной схемы симметричны:
()
)2(
1к
)1(
1кнконтк
ρ25,0ρ5,0 IIQIU
+
=
=
,
где
ρ – характеристическое сопротивление контура.
Кажущееся сопротивление в коллекторной цепи каждого
транзистора определяется по формуле
⎟
⎟
⎠
⎞
⎜
⎜
⎝
⎛
+ρ==
)1(
1к
)2(
1к
н
)1(
1к
к
)1(
э
125,0
I
I
Q
I
U
Z
,
⎟
⎟
⎠
⎞
⎜
⎜
⎝
⎛
+ρ==
)2(
1к
)1(
1к
н
)2(
1к
к
)2(
э
125,0
I
I
Q
I
U
Z
.
При полной симметрии кажущиеся сопротивления для
обоих транзисторов одинаковы:
5,0 QR
нэ
ρ
=
.
У двухтактного ГВВ все недостатки, присущие парал-
лельному включению транзисторов. Кроме того, перестройка
двухтактной схемы связана с трудностями, поэтому ее приме-
няют при работе на одной частоте, если тре ется симмет-
збуждением
в мостовых устройствах
Генератор с внешним возбуждением на одном транзисто-
ре способен генерировать мощность от 1 Вт на частотах
1–3 ГГц до 1000 Вт на частотах 1–3 кГц. Таких мощностей
бу
ричный выход.
12. Схемы сложения мощностей транзисторных
генераторов с внешним во
55
сторы отличаются по параметрам). При настроенном и сим-
метричном контуре в цепи коллекторов токи I к(11) ≠ I к(12 ) . Ток в
контуре можно определить из выражения
   I конт = I конт
              (1)
                   + I конт
                       ( 2)
                            = 0,5Qн I к(11) + 0,5Qн I к(12 ) = 0,5Qн (I к(11) + I к(12 ) ) ,

где Qн – добротность нагруженного контура. При этом учте-
но, что коэффициент связи контура с коллектором каждого
транзистора равен 0,5 .
    Напряжения на коллекторах транзисторов равны, если
плечи двухтактной схемы симметричны:
                    U к = 0,5ρI конт = 0,25ρQн (I к(11) + I к(12 ) ) ,
где ρ – характеристическое сопротивление контура.
    Кажущееся сопротивление в коллекторной цепи каждого
транзистора определяется по формуле
                                    Uк                 ⎛ I к(12 ) ⎞
                        Z э(1) =            = 0, 25ρQ  ⎜⎜1 +          ⎟,
                                                             I к(11) ⎟⎠
                                                     н
                                    I к(11)             ⎝

                                    Uк                 ⎛     I к(11)   ⎞
                       Z э( 2 ) =            = 0, 25ρQ ⎜
                                                      н⎜ 1 +           ⎟⎟ .
                                    I к(12 )           ⎝ I к1
                                                               ( 2)
                                                                        ⎠
    При полной симметрии кажущиеся сопротивления для
обоих транзисторов одинаковы: Rэ = 0,5ρQн .
    У двухтактного ГВВ все недостатки, присущие парал-
лельному включению транзисторов. Кроме того, перестройка
двухтактной схемы связана с трудностями, поэтому ее приме-
няют при работе на одной частоте, если требуется симмет-
ричный выход.

      12. Схемы сложения мощностей транзисторных
           генераторов с внешним возбуждением
                 в мостовых устройствах
    Генератор с внешним возбуждением на одном транзисто-
ре способен генерировать мощность от 1 Вт на частотах
1–3 ГГц до 1000 Вт на частотах 1–3 кГц. Таких мощностей
                                               55

Страницы