Составители:
Рубрика:
40
нологии выращивания кристаллов иттрий!алюминиевого граната
(Y
3
Al
5
O
12
), иттрий!алюминиевого перовскита (YAlO
3
) и ортогер!
маната висмута (Bi
4
Ge
3
O
12
).
Применение новых кристаллических материалов позволяет не
только улучшать технические характеристики реализуемых АЭУ
и расширять их функциональные возможности.
6. ПЛЕНОЧНЫЕ СТРУКТУРЫ
Кроме монокристаллов АЭУ реализуются на подложках с ис!
пользованием тонких пленок. В качестве пленок чаще применя!
ются оксид цинка (ZnO), нитрид алюминия (AlN), сульфид кад!
мия (CdS), селенид кадмия (CdSe). Основные параметры для неко!
торых материалов и слоистых структур приведены в табл. 5.
Пленочные структуры получаются методами термического ис!
парения, ионного распыления, химического осаждения [25].
Таблица 5
Параметры материалов для подложек АЭУ
В зависимости от структуры пленки делятся на монокристал!
лические (имеющие определенную ориентацию), поликристалли!
ческие текстурированные (образованные мелкими кристаллами,
значительная часть которых имеет преимущественную ориента!
цию), поликристаллические нетекстурированные (имеют беспо!
рядочно ориентированные кристаллиты), аморфные (кристалли!
ческая структура практически не проявляется). Структура пле!
нок связана с методами их получения и влияет на степень элект!
ромеханического преобразования.
Материал,
направление распростр.
V, м/с k
2
, %
ТК Ч
10
–6
/ C
ТК З
10
–6
/ C
ZnO Z!срез, любое 2680 1,0 40
ZnO / стекло 2360 1,9 –25
ZnO / сапфир 5500 4,5 43
CdS Z!срез, любое 1720 0,54
AlN / Al2O3 (X,Z) 6160 0,4
ZnO / AlN / стекло 5840 4,37 21
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 38
- 39
- 40
- 41
- 42
- …
- следующая ›
- последняя »
