Составители:
Рубрика:
42
ние k
2
достигает 8,5 %, что выше, чем соответствующее значение
у монокристалла ниобата лития.
Применение тонких пленок позволяет не только изменять зна!
чения таких параметров, как скорость ПАВ и КЭМС, но и улуч!
шать термостабильность. Это возможно за счет уменьшения ТКЗ,
увеличения диапазона рабочих температур, при которых измене!
ние ТКЗ будет незначительным, или изменения абсолютного зна!
чения температуры, при которой ТКЗ равен нулю [23].
В структурах «пьезоэлектрическая пленка – подложка» пара!
метры, характеризующие термостабильность, имеют промежуточ!
ное значение между соответствующими параметрами подложки и
пленки. Структуры с тонкой пленкой (h/l<<1) имеют ТКЗ, близ!
кий к ТКЗ подложки, а в структурах, где толщина пленки значи!
тельно больше толщины подложки (h/l>>1), ТКЗ приближается
к ТКЗ пленки. Сочетание слоев из материалов с противоположны!
ми по знаку температурными коэффициентами позволяет добить!
ся нулевых или очень малых коэффициентов и реализовать на
таких подложках устройства, обладающие очень хорошей термо!
стабильностью. Например [23], численный расчет показал, что
нанесение алюминиевой пленки (h/l = 0,003) на поверхность мо!
нокристалла лангасита (10;150;37°) уменьшило значение ТКЗ
с –2,4 до –0,4.
Рис. 13 . Варианты расположения подложки, тонкой пленки
и электродной структуры в устройствах на ПАВ
Считывающий электрод
Считывающий электрод
Электроды ВШП
Электроды ВШП
Подложка
ZnO
ZnO
ZnO
ZnO
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 40
- 41
- 42
- 43
- 44
- …
- следующая ›
- последняя »
