Материаловедение. Барышев Г.А. - 10 стр.

UptoLike

Составители: 

Лекция 2
КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ МЕТАЛЛОВ
1. ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ УСЛОВИЯ ПРОЦЕССА
КРИСТАЛЛИЗАЦИИ
Процесс перехода жидкого состояния в твердое по схеме L S называется кристаллизацией, где Lжидкость (рас-
плав), Sтвердая фаза (кристалл).
В природе все самопроизвольно протекающие процессы обусловлены тем, что новое состояние в новых условиях обла-
дает меньшим запасом свободной энергии (термодинамический потенциал):
F свободная энергия;
t температура;
t
в
равновесная температура кристаллизации;
t
к
реальная температура кристаллизации;
t переохлаждение, т.е. разность между теоретической (равновесной) и фактической (реальной) температурами кристал-
лизации (рис. 1).
С изменением внешних условий, например температуры, свободная энергия системы меняется по сложному закону, но
различно для твердого и жидкого состояний.
Выше температуры t
п
меньшей свободной энергией обладает жидкое состояние, ниже t
п
твердое состояние.
При температуре t
п
свободные энергии твердого и жидкого состояний равныметалл находится в равновесии. Эта рав-
новесная температура называется теоретической температурой кристаллизации.
Рис. 1. Изменение свободной энергии жидкого (F
ж
) и кристаллического (F
т
) состояний в зависимости от температуры
Для кристаллизации необходимо, чтобы он был энергетически выгоден, а это возможно тогда, когда есть переохлажде-
ние, т.е. разность между равновесной и фактической температурами кристаллизации t = t
п
t
к
. При этом появляется раз-
ность свободных энергий между жидкой и твердой фазами. F = F
ж
F
т
движущая сила процесса кристаллизации.
2. ПРОЦЕСС ЗАТВЕРДЕВАНИЯ
Наличие остановки на кривой охлаждения можно объяснить выделением скрытой теплоты кристаллизации, которая
компенсирует внешний теплоотвод (рис. 2).
Более строго (правильно) это доказывается с помощью закона Гиббса:
С = Кf + 1, (1)
где Кколичество компонентов; fчисло фаз; 1температура; Счисло степеней свободы. С = 0 – для кристаллизации
металлов, так как К = 1, f = 2.
На рис. 2 показаны три кривые при различных скоростях охлаждения: v
1
, v
2
, v
3
. При этом получаются различные пере-
охлаждения t
1
, t
2
, t
3
. Чем меньше скорость охлаждения v
1
, тем ближе температура кристаллизации к равновесной (t
п
см.
на рис.1), меньше переохлаждение t
1
.