ВУЗ:
Составители:
Вводные замечания 
Комплект  заданий  рассчитан  на  освоение  приемов  измерения  параметров  оптических  во-
локон и рефлектометров по характеристикам обратного рассеяния (рефлектограммам). 
Эти задания используются для контроля знаний студентов дистанционного обучения. Вы-
бор  варианта  задач  определяется двумя  последними  цифрами  номера  зачетной  книжки  ℓ , q; 
где ℓ - предпоследняя цифра, q - последняя цифра. 
1. Основы измерений методом обратного рассеяния 
Метод основан на анализе Рэлеевского потока обратного рассеяния мощности оптического 
излучения  во  времени.  Для  его  реализации  разработаны  специальные  приборы - оптические 
рефлектометры  во  временной  области (OTDR), нашедшие  наибольшее  распространение  при 
определении параметров волоконно-оптических линий связи (ВОЛС). Они обеспечивают оп-
ределение  таких  важных  параметров  ВОЛС,  как  степень  регулярности  оптического  кабеля 
(ОК), расстояний  до мест  неоднородностей и  повреждений, потерь  в местах соединений ОК, 
затуханий строительных длин и смонтированных регенерационных участков и др. 
В  приборах  данного  класса  информационной  является  характеристика  обратного  рассея-
ния (рефлектограмма), представляющая собой зависимость уровня мощности потока обратно-
го рассеяния в точке ввода излучения в волокно от расстояния до анализируемой точки, опре-
деляемого соотношением 
2
vt
x =                                                                    (1.1) 
  с 
Где   v = — - групповая скорость распространения излучения по сердцевине ОВ. 
n        
с - скорость света в вакууме; 
n - показатель преломления сердцевины ОВ.  
Типичный вид рефлектограммы приведен на рис 1.1. 
Ее идентификация предполагает:
- определение    «квазирегулярных»    участков,    на    которых 
изменения уровня обратного потока обусловлены потерями на 
поглощение и Рэлеевское рассеяние; 
- выделение  участков   с  резким  изменением  уровня   потока 
обратного рассеяния, присущих локальным неоднородностям. 
Например, для рис. 1.1 участки рефлектограммы могут быть 
                                     Вводные замечания
    Комплект заданий рассчитан на освоение приемов измерения параметров оптических во-
локон и рефлектометров по характеристикам обратного рассеяния (рефлектограммам).
    Эти задания используются для контроля знаний студентов дистанционного обучения. Вы-
бор варианта задач определяется двумя последними цифрами номера зачетной книжки ℓ , q;
где ℓ - предпоследняя цифра, q - последняя цифра.
                          1. Основы измерений методом обратного рассеяния
     Метод основан на анализе Рэлеевского потока обратного рассеяния мощности оптического
излучения во времени. Для его реализации разработаны специальные приборы - оптические
рефлектометры во временной области (OTDR), нашедшие наибольшее распространение при
определении параметров волоконно-оптических линий связи (ВОЛС). Они обеспечивают оп-
ределение таких важных параметров ВОЛС, как степень регулярности оптического кабеля
(ОК), расстояний до мест неоднородностей и повреждений, потерь в местах соединений ОК,
затуханий строительных длин и смонтированных регенерационных участков и др.
     В приборах данного класса информационной является характеристика обратного рассея-
ния (рефлектограмма), представляющая собой зависимость уровня мощности потока обратно-
го рассеяния в точке ввода излучения в волокно от расстояния до анализируемой точки, опре-
деляемого соотношением
                                               vt
                                           x=                                        (1.1)
                                               2
              с
     Где v = — - групповая скорость распространения излучения по сердцевине ОВ.
              n
с - скорость света в вакууме;
n - показатель преломления сердцевины ОВ.
Типичный вид рефлектограммы приведен на рис 1.1.
Ее идентификация предполагает:
  - определение «квазирегулярных» участков, на которых
    изменения уровня обратного потока обусловлены потерями на
    поглощение и Рэлеевское рассеяние;
  - выделение участков с резким изменением уровня потока
    обратного рассеяния, присущих локальным неоднородностям.
    Например, для рис. 1.1 участки рефлектограммы могут быть
