Метрологическое обеспечение волоконно-оптических линий передачи. Баскаков В.С - 3 стр.

UptoLike

Составители: 

Вводные замечания
Комплект заданий рассчитан на освоение приемов измерения параметров оптических во-
локон и рефлектометров по характеристикам обратного рассеяния (рефлектограммам).
Эти задания используются для контроля знаний студентов дистанционного обучения. Вы-
бор варианта задач определяется двумя последними цифрами номера зачетной книжки , q;
где - предпоследняя цифра, q - последняя цифра.
1. Основы измерений методом обратного рассеяния
Метод основан на анализе Рэлеевского потока обратного рассеяния мощности оптического
излучения во времени. Для его реализации разработаны специальные приборы - оптические
рефлектометры во временной области (OTDR), нашедшие наибольшее распространение при
определении параметров волоконно-оптических линий связи (ВОЛС). Они обеспечивают оп-
ределение таких важных параметров ВОЛС, как степень регулярности оптического кабеля
(ОК), расстояний до мест неоднородностей и повреждений, потерь в местах соединений ОК,
затуханий строительных длин и смонтированных регенерационных участков и др.
В приборах данного класса информационной является характеристика обратного рассея-
ния (рефлектограмма), представляющая собой зависимость уровня мощности потока обратно-
го рассеяния в точке ввода излучения в волокно от расстояния до анализируемой точки, опре-
деляемого соотношением
2
vt
x = (1.1)
с
Где v = — - групповая скорость распространения излучения по сердцевине ОВ.
n
с - скорость света в вакууме;
n - показатель преломления сердцевины ОВ.
Типичный вид рефлектограммы приведен на рис 1.1.
Ее идентификация предполагает:
- определение «квазирегулярных» участков, на которых
изменения уровня обратного потока обусловлены потерями на
поглощение и Рэлеевское рассеяние;
- выделение участков с резким изменением уровня потока
обратного рассеяния, присущих локальным неоднородностям.
Например, для рис. 1.1 участки рефлектограммы могут быть
                                     Вводные замечания
    Комплект заданий рассчитан на освоение приемов измерения параметров оптических во-
локон и рефлектометров по характеристикам обратного рассеяния (рефлектограммам).
    Эти задания используются для контроля знаний студентов дистанционного обучения. Вы-
бор варианта задач определяется двумя последними цифрами номера зачетной книжки ℓ , q;
где ℓ - предпоследняя цифра, q - последняя цифра.

                          1. Основы измерений методом обратного рассеяния
     Метод основан на анализе Рэлеевского потока обратного рассеяния мощности оптического
излучения во времени. Для его реализации разработаны специальные приборы - оптические
рефлектометры во временной области (OTDR), нашедшие наибольшее распространение при
определении параметров волоконно-оптических линий связи (ВОЛС). Они обеспечивают оп-
ределение таких важных параметров ВОЛС, как степень регулярности оптического кабеля
(ОК), расстояний до мест неоднородностей и повреждений, потерь в местах соединений ОК,
затуханий строительных длин и смонтированных регенерационных участков и др.
     В приборах данного класса информационной является характеристика обратного рассея-
ния (рефлектограмма), представляющая собой зависимость уровня мощности потока обратно-
го рассеяния в точке ввода излучения в волокно от расстояния до анализируемой точки, опре-
деляемого соотношением
                                               vt
                                           x=                                        (1.1)
                                               2
              с
     Где v = — - групповая скорость распространения излучения по сердцевине ОВ.
              n
с - скорость света в вакууме;
n - показатель преломления сердцевины ОВ.
Типичный вид рефлектограммы приведен на рис 1.1.




Ее идентификация предполагает:
  - определение «квазирегулярных» участков, на которых
    изменения уровня обратного потока обусловлены потерями на
    поглощение и Рэлеевское рассеяние;
  - выделение участков с резким изменением уровня потока
    обратного рассеяния, присущих локальным неоднородностям.
    Например, для рис. 1.1 участки рефлектограммы могут быть