Электрохимия полупроводников. Батенков В.А. - 118 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

АлтГУ | Барнаул

Составители: 

Рубрика: 

118
24.
Сысоева Л.Н., Батенков В.А., Катаев Г.А. Электроосаждение металлов на n-арсенид гал-
лия // Вопр. химии. Труды ТГУ. Сер. хим. –Томск: Изд-во Том. ун-та, 1973. Т. 249. Вып.
9. – С. 99.
25.
А.с. 762656 СССР. МКИ
2
. Н О1 L 29/48. Диод с барьером Шоттки / В.А. Батенков, В.Г.
Божков, В.М Тевелевич. Заявлено 12.06.74 г.
26.
Бахтадзе М.В.,
Лаперашвили Т.А.
Электрохимический метод создания диодов Шоттки
на основе GaP // Изв. АН Груз. ССР. Сер. хим. 1985. Т. 11. № 4. – С. 306.
27.
Шипунов Б.П., Батенков В.А., Черноморова Л.И. Влияние степени легирования полу-
проводникового катода на электрокристаллизацию металла // Тез. докл.VI Всесоюз.
конф. по электрохимии. –М. :АН СССР.
1982.
Т.
1.
– С.
329.
28.
Лаврищева И.Т., Максимова Н.К., Катаев Г.А. Электроосаждение никеля на n-GaAs //
Вопр. химии. Труды ТГУ. Сер. хим. –Томск. :Изд-во Том. ун-та. 1977. Вып. 12. – С. 101.
29.
Степанов В.Е., Максимова Н.К. и др. Роль поверхностных состояний в процессе элек-
троосаждения металла на GaAs // Поверхность. Физ., хим., мех. 1983. № 8. – С. 110.
30.
Батенков В.А., Сысоева Л.Н. Уравнение, описывающее вольтамперные характеристики
поверхностно-барьерных диодов на арсениде галлия // Вопр. химии. Труды ТГУ. Сер.
хим. –Томск. :Изд-во Том. ун-та. 1973. Т. 240. Вып. 8. – С. 175.
31.
Зи С. Физика полупроводниковых приборов. Кн. 1. – М. :Мир, 1984. – 456 с.
32.
Bardeen J. Surface States and Rectification at a Metal – Semiconductor Contact // Phys. Rev.
1947. V. 71. – P. 717.
33.
Andrews J. M., Phillps J.C. Chemical Bonding and Structure of Metal – Semiconductor
Interface // Phys. Rev. 1975. V. 35. – Р. 56.
34.
Батенков В.А., Шипунов Б.П. Электродные потенциалы и вольтамперные характеристи-
ки
сколов
германия //Применение
физико-химических методов в исследовании состава и
свойств химических соединений. –Барнаул: Изд-во Алт. ун-та. 1982. – С. 28.
35.
Сысоева Л.Н., Батенков В.А., Катаев Г.А. Выбор условий обработки сотовых структур
при создании барьера Шоттки электрохимическим способом // Вопр. химии. Труды ТГУ.
Сер. хим. – Томск. :Изд-во Том. ун-та. 1973. Т. 240. Вып. 8. – С. 180.
36.
Стукалова И.Н., Батенков В.А., Шипунов Б.П., Папина Т.С. Зависимость электрофизиче-
ских свойств контакта металл – арсенид галлия от состава остаточного оксида // Шестое
Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия. –Томск. :Изд-во Том. ун-та.
1987. Т. 2. – С. 43.
37.
А.с. 1415982 СССР. МКИ
2
. Н О1 L 21/28. Способ изготовления омического контакта к
арсениду и фосфиду галлия. /В.А. Батенков, Б.П. Шипунов, А.И. Любарец. Заявлено
12.07.85 г. Зарегестрировано 16.05.80 г.
24. Сысоева Л.Н., Батенков В.А., Катаев Г.А. Электроосаждение металлов на n-арсенид гал-
    лия // Вопр. химии. Труды ТГУ. Сер. хим. –Томск: Изд-во Том. ун-та, 1973. Т. 249. Вып.
    9. – С. 99.
25. А.с. 762656 СССР. МКИ2. Н О1 L 29/48. Диод с барьером Шоттки / В.А. Батенков, В.Г.
    Божков, В.М Тевелевич. Заявлено 12.06.74 г.
26. Бахтадзе М.В., Лаперашвили Т.А. Электрохимический метод создания диодов Шоттки
    на основе GaP // Изв. АН Груз. ССР. Сер. хим. 1985. Т. 11. № 4. – С. 306.
27. Шипунов Б.П., Батенков В.А., Черноморова Л.И. Влияние степени легирования полу-
    проводникового катода на электрокристаллизацию металла // Тез. докл.VI Всесоюз.
    конф. по электрохимии. –М. :АН СССР. 1982. Т. 1. – С. 329.
28. Лаврищева И.Т., Максимова Н.К., Катаев Г.А. Электроосаждение никеля на n-GaAs //
    Вопр. химии. Труды ТГУ. Сер. хим. –Томск. :Изд-во Том. ун-та. 1977. Вып. 12. – С. 101.
29. Степанов В.Е., Максимова Н.К. и др. Роль поверхностных состояний в процессе элек-
    троосаждения металла на GaAs // Поверхность. Физ., хим., мех. 1983. № 8. – С. 110.
30. Батенков В.А., Сысоева Л.Н. Уравнение, описывающее вольтамперные характеристики
    поверхностно-барьерных диодов на арсениде галлия // Вопр. химии. Труды ТГУ. Сер.
    хим. –Томск. :Изд-во Том. ун-та. 1973. Т. 240. Вып. 8. – С. 175.
31. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. Кн. 1. – М. :Мир, 1984. – 456 с.
32. Bardeen J. Surface States and Rectification at a Metal – Semiconductor Contact // Phys. Rev.
    1947. V. 71. – P. 717.
33. Andrews J. M., Phillps J.C. Chemical Bonding and Structure of Metal – Semiconductor
    Interface // Phys. Rev. 1975. V. 35. – Р. 56.
34. Батенков В.А., Шипунов Б.П. Электродные потенциалы и вольтамперные характеристи-
    ки сколов германия //Применение физико-химических методов в исследовании состава и
    свойств химических соединений. –Барнаул: Изд-во Алт. ун-та. 1982. – С. 28.
35. Сысоева Л.Н., Батенков В.А., Катаев Г.А. Выбор условий обработки сотовых структур
    при создании барьера Шоттки электрохимическим способом // Вопр. химии. Труды ТГУ.
    Сер. хим. – Томск. :Изд-во Том. ун-та. 1973. Т. 240. Вып. 8. – С. 180.
36. Стукалова И.Н., Батенков В.А., Шипунов Б.П., Папина Т.С. Зависимость электрофизиче-
    ских свойств контакта металл – арсенид галлия от состава остаточного оксида // Шестое
    Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия. –Томск. :Изд-во Том. ун-та.
    1987. Т. 2. – С. 43.
37. А.с. 1415982 СССР. МКИ2. Н О1 L 21/28. Способ изготовления омического контакта к
    арсениду и фосфиду галлия. /В.А. Батенков, Б.П. Шипунов, А.И. Любарец. Заявлено
    12.07.85 г. Зарегестрировано 16.05.80 г.




                                              118

Страницы