Электрохимия полупроводников. Батенков В.А. - 153 стр.

16. Батенков В.А., Стукалова И.Н., Нейскаш И.Н. Диаграмма Е-рН для равновесной системы
    InP – H2O. Барнаул, 1984. Деп. в ВИНИТИ 11.09.84. № 932хп-Д84.
17. Gгау D., Cahill A. Theoretical an Analysiс of the mixed Potential // J. Electrochem. Soc. 1969.
    V. 116. N 4. – P. 443.
18. Горичев И.Г., Ключников Н.Г. Зависимость стандартных электродных потенциалов и
    изобарно-изотермических потенциалов некоторых окислов от их стехиометрического со-
    става // ЖФХ. 1971. Т. 45. № 5. – С. 1099.
19. Батенков В.А. Равновесный полиоксидный электрод // Изв. АГУ. 1997. Т.1. – С. 96.
20. Giber J., Vajasdu-Perczel J. et cet. Study of the rest and polarisation Potentials of chemically
    treateed Gerinaniurn Single Crystal Surface // Acta Chim. Acad. Sci. Hung. 1972. V. 72(1). – P.
    33. Ibid. V. 73(3). – P. 293.
21. Батенков В.А. Зависимость электродного потенциала германия от соcтава раствора //
    Применение физико-химических методов в исследовании состава и свойств химических
    соединений. – Барнаул :Изд-во Алт. ун-та. 1982. – С. 15.
22. Батeнков В.А., Шипунов Б.П. Электродные потенциaлы и вольтамперныe характеристики
    сколов rермания // Там же. – С. 28.
23. Батенков В.А., Пронина И.Т., Катаев Г.А. Влияние некоторых факторов на стационарный
    потенциал GaAs // Арсенид галлия. – Томск :Изд-во Том. ун-та. 1968. – С. 495.
24. Возмилова Л.Н., Буц Э.В., Каплун Г. Б. Электрохимические процессы на арсениде галлия
    // Электрохимия. 1968. Т. 4. № 6. – С. 704.
25. Молчанова С.А., Ерусалимчик И.Г. Об участии легирующих примесей в электродных
    процессах на границе GaAs – электролит // Электрохимия.1973. Т. 9. №8. – С.1147.
26. Harvey W.W., Gatos H.C. Reactions of Germanium with water Solution // J. Electrochem. Soc.
    1958. T.105. N 11. – С. 654.
27. Васильев И.Я., Никулин B.И. К вопросу определения тока обмена полупроводниковых
    материалов методом радиоактивных индикаторов // Труды Kaзaн. хим.-технол. ин-та.
    Вып. 4-6. –Казань. 1971. – С. 148.
28. Kafalas J.A., Gatos Н.С., Button M.J. Interaction of Gallium Arsenide with water Solutions // J.
    Americ. Soc. 1957. V. 79. – С. 4260.
29. Молчанова С.А., Ерусалимчик И.Г. Анодное поведение арсенида галлия в растворах пла-
    виковой кислоты при низких плотностях тока // Электрохимия. 1971. Т. 7. №7. – С. 1025.
30. Gayer K.N., Zajicek O.T. Dissolubility GeO2 in aqueous Solutions NaOH at 25 oC // J.
    Inorg. Nucl. Chem. 1964. V. 26. – P. 951, 2123.
31. Батенков В.А. О механизме анодного окисления германия // Электрохимия. 1984. Т. 20.
    № 6. – C. 816.
32. Arthur J.R. Adsorption and Desorption of Oxygen on Surface (111) of Arsenide Gallium // J.
    Appl. Phys., 1967. V. 38. N 10. – P. 4023.
33. Батенков В.А., Стукалова И.Н. Термодинамические и экспериментальные значения элек-
    тродных потенциалов полупроводников АIII ВV // Термодинамика и материаловедение
    полупроводников: Тез. докл. Третьей Всесоюз. конф. Т.2. – М.:АН СССР, 1986. – С. 189.
34. Gerischer H., Beck F. Dem Germaniumkorrosionspotential und seine Abhängigkeit fon der La-
    dugsträgerkonzentration, fon Geschwindigkeit des Korrosion und der Beleuchtung // Z. physik.
    Chem. N.F. 1960. Bd. 23. – S. 113.
35. Turner D.R. On Mechanism of chemical Etching of the Germanium and Silicon // J.Electro-
    chem. Soc. 1960. V. 107. N 10. – P. 810.
36. Gereth R., Cowher M. Anodic Dissolution of heavily doped N-Type Ge in aqueous Solutions //
    J. Electrochem. Soc. 1968. V. 115. N 6. – P. 645.



                                                153