Электрохимия полупроводников. Батенков В.А. - 154 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

АлтГУ | Барнаул

Составители: 

Рубрика: 

154
37. Батенков В.А., Катаев Г.А. Влияние на коррозионный потенциал германия микроосадков
цинка, индия, сурьмы и мышьяка // Вопр. химии. Труды ТГУ. Сер. хим. Томск: Изд-во
Том. ун-та. 1975. Т. 249. Вып. 10. – С. 9.
38. Гуревич Ю.Я., Плесков Ю.В. Фотоэлектрохимия полупроводников.– М.: Наука, 1983.–312 с.
39. Brattain W.H., Bardeen J. Germanium surface Properties // Bell Syst. Techn. J. 1953. V. 32. N1. – P 1.
40. Brattain W.H., Garrett C.G.B. Investigation of Germanium – Electrolyte Interface // Bell.
System. Techn., J. 1955. V. 34. N 1. – P. 129.
41. Garrett C.G.B., Brattain W.H. Physical Theory of Semiconductor Surface // Phys. Rev. 1955. V.
99. N 2. – P. 376.
42. Willams R. Becquerel photovoltaic Effect in binary Compounds // J. Chem. Phys. 1960. V. 32.
N 5. – P. 1505.
43. Haisty R.W. Photoetching and Plating of GaAs // J. Electrochem. Soc. 1961. V. 108. N 8. –P. 790.
44.
Gerischer H. Electrochemical Behavior of Semiconductors under Illumination // J. Electro-
chem. Soc. 1966. V. 113. N 11. – P. 1174.
45.
Gärtner W.W. Depletion-Layer Photoeffects in Semiconductors // Phys. Rev. 1959, V.116. N 1.– P. 84.
46.
Батенков В.А., Любарец А.И., Иванова И.И. Фотоэлектрохимические реакции на арсени-
де и фосфиде галлия // Химизация народного хозяйства – важное условие ускорения на-
учно-технического прогресса. Тез. докл. научно-практ. конф.,1987. Барнаул: Изд-во Алт.
ун-та. 1987. – С. 33.
47.
Зи С. Физика полупроводниковых приборов. Кн. 2. – М. :Мир, 1984. – 456 с.
45. Смирнова Т.П., Шпурик В.Н., Белый В.П., Захарчук Н.Ф. Исследование химического со-
става поверхности антимонида индия // Изв. СО АН СССР. Сер. хим. наук, 1982. Вып. 3.
№ 7. – С. 93.
46. Батенков В.А., Стукалова И.Н. Об электрохимической активности поверхностных соеди-
нений A
III
B
V
.
Барнаул, 1984. Деп. в ВИНИТИ 02.01.84. № 68хп-Д84.
47. Батенков В.А., Стукалова И.Н. Вольтамперометрическое исследование поверхности по-
лупроводников A
III
B
V
// Электрохимические методы анализа: Тез. II Всесоюз. конф. по
электрохимическим методам анализа, 1985 г. Ч. I. –Томск: АН СССР. 1985. – С. 91.
37. Батенков В.А., Катаев Г.А. Влияние на коррозионный потенциал германия микроосадков
    цинка, индия, сурьмы и мышьяка // Вопр. химии. Труды ТГУ. Сер. хим. Томск: Изд-во
    Том. ун-та. 1975. Т. 249. Вып. 10. – С. 9.
38. Гуревич Ю.Я., Плесков Ю.В. Фотоэлектрохимия полупроводников.– М.: Наука, 1983.–312 с.
39. Brattain W.H., Bardeen J. Germanium surface Properties // Bell Syst. Techn. J. 1953. V. 32. N1. – P 1.
40. Brattain W.H., Garrett C.G.B. Investigation of Germanium – Electrolyte Interface // Bell.
    System. Techn., J. 1955. V. 34. N 1. – P. 129.
41. Garrett C.G.B., Brattain W.H. Physical Theory of Semiconductor Surface // Phys. Rev. 1955. V.
    99. N 2. – P. 376.
42. Willams R. Becquerel photovoltaic Effect in binary Compounds // J. Chem. Phys. 1960. V. 32.
    N 5. – P. 1505.
43. Haisty R.W. Photoetching and Plating of GaAs // J. Electrochem. Soc. 1961. V. 108. N 8. –P. 790.
44. Gerischer H. Electrochemical Behavior of Semiconductors under Illumination // J. Electro-
    chem. Soc. 1966. V. 113. N 11. – P. 1174.
45. Gärtner W.W. Depletion-Layer Photoeffects in Semiconductors // Phys. Rev. 1959, V.116. N 1.– P. 84.
46. Батенков В.А., Любарец А.И., Иванова И.И. Фотоэлектрохимические реакции на арсени-
    де и фосфиде галлия // Химизация народного хозяйства – важное условие ускорения на-
    учно-технического прогресса. Тез. докл. научно-практ. конф.,1987. Барнаул: Изд-во Алт.
    ун-та. 1987. – С. 33.
47. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. Кн. 2. – М. :Мир, 1984. – 456 с.
45. Смирнова Т.П., Шпурик В.Н., Белый В.П., Захарчук Н.Ф. Исследование химического со-
    става поверхности антимонида индия // Изв. СО АН СССР. Сер. хим. наук, 1982. Вып. 3.
    № 7. – С. 93.
46. Батенков В.А., Стукалова И.Н. Об электрохимической активности поверхностных соеди-
    нений AIIIBV. Барнаул, 1984. Деп. в ВИНИТИ 02.01.84. № 68хп-Д84.
47. Батенков В.А., Стукалова И.Н. Вольтамперометрическое исследование поверхности по-
    лупроводников AIIIBV // Электрохимические методы анализа: Тез. II Всесоюз. конф. по
    электрохимическим методам анализа, 1985 г. Ч. I. –Томск: АН СССР. 1985. – С. 91.




                                                   154

Страницы